Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике

IGBT-модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей позволяет применять их в инновационных областях электроэнергетики
1011
В избранное

infin.png (829 b)IGBT-модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей позволяет применять их в инновационных областях электроэнергетики.

Появление солнечных и ветряных электростанций, увеличение числа электромобилей и других типов электротранспорта, создание распределенных сетей генерации электричества – все это требует управления потоками электроэнергии, невозможное без преобразования ее параметров.

На сегодняшний день мощности твердотельных высокочастотных преобразователей уже превысили уровень в один мегаватт. Это означает, что их рабочие напряжения и токи измеряются цифрами с тремя и более нулями. А ведь кроме обеспечения нагрузок необходимым количеством энергии, преобразователи должны быть надежными, компактными, высокоэффективными и иметь максимально длительный срок службы. Очевидно, что для выполнения этих взаимоисключающих требований они должны строиться на основе силовых компонентов со специфическим набором характеристик, среди которых установочная мощность (произведение максимально допустимого напряжения на максимально допустимый ток) является главным, но не единственным ключевым параметром. Из всего существующего многообразия компонентов наиболее подходящими для построения мощных преобразователей являются биполярные транзисторы с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT), постепенно вытесняющие из этой области все остальные типы полупроводниковых приборов, в том числе и запираемые тиристоры (GTO, IGCT), до недавнего времени бывшие практически безальтернативным вариантом для создания мощных преобразователей.

Поскольку количество существующих схем преобразователей невелико, многие производители выпускают повторяющиеся фрагменты схемы силовой части в виде готовых модулей. В этом случае в специально разработанном корпусе с малым тепловым сопротивлением располагаются не только силовые IGBT, но и другие стандартные компоненты, например, антипараллельные диоды, драйверы транзисторов или ограничители перенапряжений. Кроме этого, элементы внутри корпуса соединяются между собой, в результате чего модуль превращается в законченный узел, требующий минимального количества операций при установке в устройство.

Именно о таких модулях компании Infineon и пойдет речь в статье. Особенностью рассматриваемых модулей является использование нескольких новых технологий, благодаря которым были значительно улучшены три основных параметра IGBT-модуля: удельная мощность, эффективность и срок службы. Разработав данные модули, компания  Infineon фактически вывела мощные преобразователи на новый уровень качества, пока еще недостижимый при использовании аналогичных приборов других производителей.

Отличительной особенностью IGBT-модулей Infineon является уникальное сочетание трех передовых технологий:

  • IGBT пятого поколения, изготовленные по технологии Trench-FieldStop;
  • корпуса с малым тепловым сопротивлением PrimePACK;
  • технология .XT для внутренних соединений, увеличивающая надежность модуля.

Использование каждой из этих технологий по отдельности уже позволяет ощутимо улучшить характеристики преобразователей, однако их сочетание взаимно усилило преимущества друг друга, что позволило компании Infineon в конечном итоге увеличить удельную мощность своих приборов как минимум на 25%, тем самым фактически открыв новую эпоху в силовой преобразовательной технике.

Пятое поколение IGBT TrenchStop

Наиболее простой и недорогой технологией изготовления IGBT является технология NPT (рисунок 1а) без использования дорогого эпитаксиального наращивания кремния, при которой все слои транзистора располагаются в основной пластине. NPT-IGBT отличаются малым падением напряжения между коллектором и эмиттером, небольшим «хвостом» тока при выключении, хорошей термостабильностью и повторяемостью параметров. Однако невозможность увеличения плотности тока приводит к увеличению размеров транзисторов и, как следствие, к ухудшению их частотных свойств и динамических характеристик. Все это не позволяет использовать данные транзисторы в мощных устройствах.

Структура IGBT разных технологий

Рис. 1. Структура IGBT разных технологий

Намного лучше характеристики у транзисторов, выполненных по технологии Trench-FieldStop (TrenchStop™) (рисунок 1б), в которой компании Infineon удалось реализовать практически трапецеидальную форму напряженности электрического поля по толщине дрейфовой зоны при блокировании номинального напряжения, в отличие от треугольной формы, реализованной в NPT IGBT. Это позволило примерно вдвое уменьшить толщину зоны дрейфа зарядов и, соответственно, уменьшить как величину падения напряжения между коллектором и эмиттером в открытом состоянии, так и улучшить частотные характеристики транзисторов за счет уменьшения количества заряда, Использование для изготовления транзисторов Trench-FieldStop пластин кремния, толщина которых намного меньше толщины стандартных подложек, с одной стороны, усложнило технологию производства и увеличило себестоимость, с другой же – это было скомпенсировано улучшением практически всех остальных параметров. В итоге Trench-FieldStop-IGBT отличаются малыми значениями статических и динамических потерь, теплового сопротивления, высокой плотностью тока и устойчивостью к циклическим тепловым нагрузкам.

Выпуская Trench-FieldStop-IGBT более 15 лет, компания Infineon постоянно занималась улучшением их технических характеристик, в результате чего было разработано несколько поколений транзисторов, последним из которых на сегодняшний день являются транзисторы пятого поколения (рисунок 1в). Сочетая в себе все ключевые преимущества предыдущих технологий, транзисторы TrenchStop5 имеют еще меньшую толщину дрейфовой зоны и, соответственно, еще меньший «хвост» тока при выключении и меньшее падение напряжения между коллектором и эмиттером в открытом состоянии. В целом в IGBT пятого поколения статические и динамические потери до 20% меньше, чем у лучших представителей транзисторов предыдущих поколений (рисунок 2). Кроме этого, увеличенная толщина медной металлизации вывода эмиттера позволила увеличить тепловую емкость структуры и увеличить допустимое время работы на границе области безопасной работы (в режиме короткого замыкания) до 10 мкс.

Сравнение IGBT 4-го и 5-го поколений

Рис. 2. Сравнение IGBT 4-го и 5-го поколений

Корпус PrimePACK

Однако какие бы высокие характеристики ни были у транзистора, его работа зависит, прежде всего, от окружающих условий, которые, в свою очередь, зависят от характеристик корпуса. В первую очередь от корпуса зависит скорость отвода тепла и, соответственно, температура кристаллов. Кроме этого, учитывая особенности работы мощных преобразователей, особое значение для этого узла модуля имеет стойкость к циклическим тепловым нагрузкам.

Согласно результатам проведенных исследований, наиболее разрушительными для мощных силовых модулей являются периодические колебания температуры, возникающие из-за непостоянства нагрузки преобразователей. Неудачный подбор материалов основы корпуса, способов крепления силовых компонентов модуля и внутренних соединений со временем, из-за разных коэффициентов теплового расширения материалов, приводит к разрушению соединений элементов внутри модуля и выходу его из строя.

Скажем, при использовании мягких припоев на основе олова с температурой плавления 230…280°С максимальная температура кристаллов не должна превышать 150°С. В этом случае производитель еще может гарантировать продолжительную работу модуля. Но при увеличении температуры кристалла до 175°С уже резко возрастает текучесть припоя, что приводит к появлению внутренних напряжений и в конечном итоге, после ряда циклов «нагрев-охлаждение» (включение-выключение преобразователя) – к разрушению соединения (рисунок 3).

Отрыв алюминиевого внутреннего проводника (а) и разрушение слоя припоя (б) из-за циклических тепловых нагрузок

Рис. 3. Отрыв алюминиевого внутреннего проводника (а) и разрушение слоя припоя (б) из-за циклических тепловых нагрузок

Именно это является одним из основных причин выхода из строя полупроводниковых модулей, рассчитанных на использование в мощных преобразователях. Причем разрушению могут подвергаться любые соединения внутри модуля: крепления транзисторов к основанию, внутриблочные соединения, покрытия оснований и элементов модуля. Везде, где существует соединение нескольких разнородных материалов, есть большая вероятность отказа из-за наличия переменных тепловых нагрузок.

Корпуса PrimePACK были разработаны компанией Infineon в 2006 году. Они изначально рассчитывались на использование транзисторов и диодов с повышенной рабочей температурой кристаллов, которых в то время еще не существовало. За более чем 10-летнюю историю они не раз доказывали свою высокую надежность, и стали фактически стандартом для построения мощных преобразователей для электротранспорта, электростанций и других областей.

Ключевыми особенностями корпусов PrimePACK является малая величина теплового сопротивления, в том числе и за счет размещения кристаллов полупроводниковых элементов ближе к точкам крепления подложки к теплоотводу, что позволяет эффективно отводить тепло от силовых элементов модуля (рисунок 4).

Моделирование распределения температуры внутри корпуса PrimePACK

Рис. 4. Моделирование распределения температуры внутри корпуса PrimePACK

Основания корпусов PrimePACK выполнены из металломатричного композиционного материала Al-SiC на основе алюминиевого сплава, армированного частицами карбида кремния. Этот материал обладает высокой теплопроводностью (180…200 Вт/м·K) и возможностью регулировки коэффициента теплового расширения. Кроме этого, внутри модуля полупроводниковые приборы монтируются на подложках из нитрида алюминия, также отличающегося высокой теплопроводностью и близким к кристаллам коэффициентом теплового расширения. Все это, в совокупности с технологией межблочных соединений .XT, о которой речь пойдет ниже, позволило значительно снизить степень разрушений, создаваемых колебаниями температуры и в конечном итоге расширить как рабочую температуру кристаллов (до 175°С) так и температурный диапазон хранения модулей (до -50°С).

Существует два типа корпусов PrimePACK (рисунок 5). PrimePACK2 с размерами 172х89 мм предназначен для приборов с небольшой установочной мощностью, а PrimePACK3 с размерами 250×89 мм, поддерживаемый многими мировыми производителями электронных компонентов, уже давно стал образцом корпуса для силовых модулей преобразователей мощностью более 1 МВт. Но, несмотря на высокие технические характеристики корпуса PrimePACK3, для того чтобы достичь рекордных значений установочной мощности, специалистам компании Infineon пришлось улучшать даже эту конструкцию, что привело к появлению корпуса PrimePACK3+.

Корпуса PrimePACK

Рис. 5. Корпуса PrimePACK

Размеры PrimePACK3 и PrimePACK3+ аналогичны, однако внутренняя компоновка модифицированного модуля претерпела существенные изменения, а добавление двух дополнительных терминалов – вывода общей точки соединения транзисторов и вывода коллектора транзистора нижнего плеча – позволило увеличить выходной ток модуля до 1800 А при максимальном рабочем напряжении до 1700 В.

Технология внутренних соединений .XT

Однако, как показывает практика, использования высокоэффективных транзисторов и передовых технологий корпусирования может оказаться недостаточно для получения высокой удельной мощности. Ведь силовые компоненты еще как-то нужно соединять как между собой, так и с терминалами модуля. И здесь также может быть множество потенциальных проблем, основными из которых являются все те же циклические изменения температуры, приводящие к постепенному разрушению соединений материалов с разным коэффициентом теплового расширения, и паразитная индуктивность, наличие которой, особенно при коммутации больших токов, может привести к пробою IGBT.

Но для того чтобы понять особенности технологии .XT, вначале необходимо разобраться с недостатками и ограничениями существующих методов сборки мощных модулей (рисунок 6). При традиционном методе сборки модулей основным способом соединения всех узлов является пайка с использованием мягких оловянных припоев. С помощью пайки осуществляется соединение кристалла с токоведущими шинами и проводниками, монтаж кристалла на диэлектрtaическую подложку, монтаж подложки на основание. При использовании мягких припоев на основе олова максимальная температура, до которой можно циклически разогревать такой «бутерброд», не должна превышать 150°С. В противном случае из-за усталости припоя любое соединение в любой момент может просто разрушиться, что, учитывая диапазон рабочих мощностей, приведет к катастрофическим последствиям.

Сравнение традиционной технологии внутренних соединений (слева) и технологии .XT

Рис. 6. Сравнение традиционной технологии внутренних соединений (слева) и технологии .XT

Кроме этого, соединение элементов модуля с помощью алюминиевых проводников ограничивает максимальное значение тока модуля на уровне 1200…1500 А. Это связано, во-первых, с относительно высоким удельным сопротивлением алюминия по сравнению с другими электротехническими материалами (медью, серебром), а во-вторых – с достаточно высокой индуктивностью данных проводников.

Технология .XT была тщательно продумана для обеспечения необходимого уровня надежности на всех уровнях, при этом главной задачей являлось обеспечение максимального срока службы модуля в условиях циклических тепловых нагрузок. Использование технологии .XT практически полностью устраняет все недостатки, присущие традиционным технологиям изготовления модулей.

В первую очередь мягкие и текучие алюминиевые проводники для внутренних соединений были заменены на более термостабильные и надежные медные шины. Кстати, именно из-за необходимости соединения с медными шинами в IGBT Trench-FieldStop пятого поколения вывод эмиттера пришлось сделать медным (рисунок 7). Как известно, медь имеет более высокую по сравнению с алюминием прочность на разрыв и температуру плавления, что делает ее более устойчивой к термомеханическим нагрузкам. Кроме этого, она имеет меньший коэффициент температурного расширения, что позволяет снизить величину внутренних механических напряжений в модуле при изменении температуры.

Сечение соединения кремниевого вывода эмиттера IGBT с медной металлизацией (снизу) с медным соединительным проводником (сверху)

Рис. 7. Сечение соединения кремниевого вывода эмиттера IGBT с медной металлизацией (снизу) с медным соединительным проводником (сверху)

Медь также имеет меньшее удельное сопротивление по сравнению с алюминием, что в совокупности с использованием параллельного соединения нескольких медных шин, уменьшающих общую индуктивность, позволило увеличить максимальное значение тока внутри модуля.

Так была решена проблема внутренних соединений. Однако для надежного крепления полупроводниковых кристаллов к основе модуля пришлось разработать две новые технологии.

В первую очередь пайка с помощью мягких припоев была заменена на более высокотемпературную диффузную пайку с образованием интерметаллических соединений. Как известно, интерметаллиды могут обладать более высокой твердостью, химической стойкостью и температурой плавления, чем исходные металлы. В этом случае олово полностью поглощается в процессе диффузной пайки, образуя с медью соединения Cu6Sn5 с температурой плавления 416°С и Cu3Sn с температурой плавления 676°С, а с серебром – Ag3Sn с температурой плавления 480°С (рисунок 8).

Соединение кремниевого кристалла с подложкой с образованием интерметаллических соединений на основе меди (а) и серебра (б)

Рис. 8. Соединение кремниевого кристалла с подложкой с образованием интерметаллических соединений на основе меди (а) и серебра (б)

В случае, когда использование высоких температур при сборке модуля затруднительно, используется технология низкотемпературного (200…270°С) спекания микрочастиц серебра. При достаточно высоком давлении (5…30 МПа) и указанной температуре микрочастицы серебра соединяются в компактное пористое соединение с температурой плавления 962°C (рисунок 9). В отличие от диффузной пайки, основным критерием качества которой является однородность и отсутствие пустот, качество спекания серебра напрямую зависит от пористости образовавшегося соединения. Дело в том что увеличение пористости уменьшает модуль упругости и прочность образовавшегося соединения, что в итоге приводит к снижению усталостной прочности при циклических температурных колебаниях.

Результат спекания частиц серебра под оптическим (а) и электронным (б) микроскопами

Рис. 9. Результат спекания частиц серебра под оптическим (а) и электронным (б) микроскопами

Из-за высоких температур плавления соединений, образовавшихся в результате диффузной пайки и низкотемпературного спекания, степень текучести и усталости соединений при увеличении температур кристаллов полупроводниковых элементов до 175°С оказывается намного ниже по сравнению с традиционными соединениями на основе мягких оловянных припоев (рисунок 10).

 Разрушение слоя на основе мягкого припоя (а) и надежное соединение диффузной пайки (б) после ряда циклов термической нагрузки

Рис. 10. Разрушение слоя на основе мягкого припоя (а) и надежное соединение диффузной пайки (б) после ряда циклов термической нагрузки

Таким образом, технология .XT позволяет более надежно фиксировать кристаллы полупроводниковых элементов на основании модуля, что в совокупности с другими технологиями, например, ультразвуковой сваркой медных электродов (рисунок 11), позволяет повысить рабочую температуру кристалла и, соответственно, удельную мощность используемых модулей.

Ультразвуковая сварка двух медных проводников

Рис. 11. Ультразвуковая сварка двух медных проводников

Что получилось в результате?

Итак, теперь становится понятным, что наилучший результат дает только совместное использование всех трех рассмотренных выше технологий.

Использование IGBT пятого поколения позволяет уменьшить статические и динамические потери во время работы силовой части, например, по сравнению с IGBT четвертого поколения. Это означает, что при одной и той же мощности преобразователя на кристаллах будет выделяться меньше тепла, поэтому мощность преобразователя теперь можно увеличить.

Но рост мощности требует увеличения токов, для протекания которых необходимы шины и клеммы с уменьшенным сопротивлением. Эта задача решается совместным использованием корпусов PrimePACK3+ с увеличенным количеством силовых терминалов по сравнению со ставшим уже традиционным корпусом PrimePACK3 и заменой внутренних алюминиевых проводников на медные, что уже является частью технологии .ХТ.

И последней, самой сложной задачей, которую профессионально решили специалисты компании Infineon, стало увеличение температуры кристаллов, что потребовало пересмотра практически всех технологий изготовления подобных модулей. В результате после увеличения температуры со 150°C (рабочей температуры IGBT четвертого поколения) до 175°C (рабочей температуры IGBT пятого поколения) новые модули позволяют на 25% увеличить мощность преобразователей при тех же массогабаритных показателях. Если же удельную мощность преобразователя оставить неизменной, то за счет снижения фактической температуры перегрева можно увеличить срок службы модулей как минимум в 10 раз (рисунок 12).

Результат использования IGBT пятого поколения и технологии .XT

Рис. 12. Результат использования IGBT пятого поколения и технологии .XT

На данный момент разработчику предоставляется богатый выбор модулей (таблица 1), применение которых позволит создавать мощные инверторы, отвечающие самым высоким требованиям к компактности, надежности и эффективности.

 Таблица 1. Параметры IGBT-модулей производства Infineon

Наименование Максимально допустимое напряжение, В Максимальный
ток, А
Топология силовой части Технология Корпус
FF450R12IE4 1200 450 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF600R12IE4V 1200 600 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
DF600R12IP4D 1200 600 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF600R12IP4 1200 600 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF600R12IS4F 1200 600 Полумост IGBT2 Fast PrimePACK™ 2
FF600R12IE4 1200 600 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF600R12IP4V 1200 600 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IP4P 1200 900 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
DF900R12IP4D 1200 900 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IE4V 1200 900 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF900R12IE4VP 1200 900 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF900R12IE4P 1200 900 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF900R12IP4DV 1200 900 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FD900R12IP4DV 1200 900 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IE4 1200 900 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FD900R12IP4D 1200 900 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IP4 1200 900 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IP4D 1200 900 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF900R12IP4V 1200 900 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
DF900R12IP4DV 1200 900 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 2
FF1200R12IE5 1200 1200 Полумост IGBT5-E5 PrimePACK™ 2
FF1200R12IE5P 1200 1200 Полумост IGBT5-E5 PrimePACK™ 2
FF1400R12IP4 1200 1400 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
FF1400R12IP4P 1200 1400 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
FD1400R12IP4D 1200 1400 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
DF1400R12IP4D 1200 1400 Повышающий IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
FF1500R12IE5 1200 1500 Полумост IGBT5-E5 PrimePACK™ 3+
FF1800R12IE5 1200 1800 Полумост IGBT5-E5 PrimePACK™ 3+
FF1800R12IE5P 1200 1800 Полумост IGBT5-E5 PrimePACK™ 3+
FF450R17IE4 1700 450 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF650R17IE4P 1700 650 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FD650R17IE4 1700 650 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF650R17IE4 1700 650 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF650R17IE4DP_B2 1700 650 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF650R17IE4D_B2 1700 650 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF650R17IE4V 1700 650 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
DF650R17IE4 1700 650 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 2
FF1000R17IE4P 1700 1000 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FF1000R17IE4D_B2 1700 1000 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FD1000R17IE4D_B2 1700 1000 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FD1000R17IE4 1700 1000 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
DF1000R17IE4D_B2 1700 1000 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FF1000R17IE4DP_B2 1700 1000 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FF1000R17IE4 1700 1000 Полумост IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
DF1000R17IE4 1700 1000 Повышающий IGBT4-E4 PrimePACK™ 3
FF1200R17IP5 1700 1200 Полумост IGBT5-P5 PrimePACK™ 2
FF1400R17IP4P 1700 1400 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
FF1400R17IP4 1700 1400 Полумост IGBT4-P4 PrimePACK™ 3
FF1500R17IP5 1700 1500 Полумост IGBT5-P5 PrimePACK™ 3+
FF1500R17IP5P 1700 1500 Полумост IGBT5-P5 PrimePACK™ 3+
FF1800R17IP5 1700 1800 Полумост IGBT5-P5 PrimePACK™ 3+
FF1800R17IP5P 1700 1800 Полумост IGBT5-P5 PrimePACK™ 3+

Заключение

В статье расписаны и систематизированы достижения компании Infineon. При этом не стоит забывать, что они представляют собой единое комплексное решение, элементы которого нельзя рассматривать отдельно друг от друга. Вряд ли есть смысл использовать технологию .XT в модулях с низкотемпературными кристаллами (разве что попытаться обеспечить им вечный срок службы) или транзисторы пятого поколения с утолщенными медными эмиттерами в качестве одиночных приборов в стандартных корпусах.

В любом случае цель, поставленная специалистами компании Infineon, достигнута, и разработчикам мощных силовых преобразователей есть что изучать и осваивать. Видимо, скоро нас ждут новые цели, технологии и рекорды, потому что технологии преобразования электрической энергии пока еще только начинают раскрывать свой потенциал.

Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
FD650R17IE4
FD650R17IE4
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 794956 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 52737,50
Выбрать
условия
поставки
IGBT, HI PO, CHOP NTC, 1700V, 650A
FD650R17IE4 от 1 шт. от 52737,50
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
DF1000R17IE4BOSA1
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113470 ИНФО PDF RND
Доступно: 1 шт. от 2 шт. от 43985,90
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 chopper IGBT module with IGBT4 and NTC. ВозможностиExtended Operation Temperatur…
DF1000R17IE4BOSA1 от 2 шт. от 43985,90
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
DF1000R17IE4DB2BOSA1
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113471 PDF RND
Доступно: 1 шт. от 2 шт. от 49122,80
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 chopper IGBT module with IGBT4 and NTC. ВозможностиExtended Operation Temperatur…
DF1000R17IE4DB2BOSA1 от 2 шт. от 49122,80
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
DF1400R12IP4DBOSA1
DF1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113473 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 52948,10
Выбрать
условия
поставки
Chopper
DF1400R12IP4DBOSA1 от 1 шт. от 52948,10
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
DF600R12IP4DBOSA1
DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113484 ИНФО PDF AN
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 39918,90
Выбрать
условия
поставки
Chopper
DF600R12IP4DBOSA1 от 1 шт. от 39918,90
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
DF900R12IP4DBOSA1
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113490 ИНФО PDF AN RND
Поиск
предложений
Chopper
DF900R12IP4DBOSA1
-
Поиск
предложений
DF900R12IP4DVBOSA1
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113491 ИНФО PDF RND
Доступно: 1 шт. от 3 шт. от 40376,40
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1200V, 1200V PrimePACK™2 chopper IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, incre…
DF900R12IP4DVBOSA1 от 3 шт. от 40376,40
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FD1000R17IE4DB2BOSA1
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113635 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 52588,60
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 chopper IGBT module with IGBT4 and NTC. ВозможностиExtended Operation Temperatur…
FD1000R17IE4DB2BOSA1 от 1 шт. от 52588,60
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FD650R17IE4BOSA2
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113665 ИНФО PDF AN
Доступно: 2 шт. от 3 шт. от 31382,90
Выбрать
условия
поставки
IGBT Module Single 1700V 930A 4150W Chassis Mount Module
FD650R17IE4BOSA2 от 3 шт. от 31382,90
2 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113675 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 dual IGBT module with IGBT4 and NTC. ВозможностиExtended Operation Temperature T…
FF1000R17IE4BOSA1
-
Поиск
предложений
FF1000R17IE4DB2BOSA1
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113677 PDF AN RND
Доступно: 1 шт. от 2 шт. от 61068,20
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 dual IGBT module with IGBT4 and NTC. Возможности Extended Operation Temperature …
FF1000R17IE4DB2BOSA1 от 2 шт. от 61068,20
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113678 PDF AN RND
Доступно: 1 шт. от 3 шт. от 64823,40
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. Возможности
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 от 3 шт. от 64823,40
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FF1000R17IE4PBOSA1
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113679 PDF AN RND
Доступно: 1 шт. от 3 шт. от 57328,60
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™3 dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. Возможности…
FF1000R17IE4PBOSA1 от 3 шт. от 57328,60
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
FF1400R12IP4BOSA1
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113686 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2 шт. 22040,00
Dual
FF1400R12IP4BOSA1 22040,00 от 2 шт. 22040,00
2 шт.
(на складе)
FF1400R17IP4BOSA1
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113688 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2 шт. 32180,00
1700V PrimePACK3 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and NTC.
FF1400R17IP4BOSA1 32180,00 от 2 шт. 32180,00
2 шт.
(на складе)
FF650R17IE4DB2BOSA1
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113787 ИНФО PDF RND
Доступно: 3 шт. 22110,00
IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™2 dual IGBT module with IGBT4 and NTC. ВозможностиExtended Operation Temperature …
FF650R17IE4DB2BOSA1 22110,00 от 2 шт. 22110,00
3 шт.
(на складе)

Сравнение позиций

  • ()