Управляющая Интегрированная Силовая Система (CIPOS™). Функции защиты

В руководстве описывается семейство продуктов CIPOS™ Mini IPM и базовые требования для их функционирования в рекомендованном режиме. Вторая часть руководства посвящена функциям защиты
421
В избранное

Защита от снижения напряжения

Питание схемы контроля и управления затвором CIPOS ™ Mini обычно обеспечивается одним 15 В источником, который соединен с выводами VDD и VSS модуля. Для правильной работы это напряжение должно быть стабилизировано, т. е. 15 В  ±10%. Таблица 10 описывает поведение CIPOS ™ Mini при различных напряжениях этого источника. В источнике должен быть хорошо фильтрующий с низким импедансом электролитический конденсатор и высокочастотный  развязывающий конденсатор, подключенный к выводам CIPOS™ Mini.

Высокочастотный шум источника может привести к неисправности внутренней схемы управления и генерации ошибочного сигнала аварии. Чтобы избежать этих проблем, максимальный уровень пульсаций источника должен быть менее ±1 В/мкс.

Потенциал на выводе VSS модуля отличается от потенциала на выводе питания N на величину падения напряжения на сенсорном резисторе. Очень важно, чтобы все схемы управления и источники питания были отнесены к этой точке, а не к выводу N. Если цепи подключены неправильно, дополнительный ток, протекающий через сенсорный резистор, может привести к неправильной работе функции защиты от короткого замыкания. В целом, наилучшей практикой является общая референсная VSS, полученная путем заливки земли (ground plane) в процессе разводки платы.

Основной источник питания схемы управления также подключен к бутстрепным цепям для образования  плавающих источников питания драйверов затворов верхних плечей.

Когда напряжение питания управления (VDD и VBS) падает ниже уровня UVLO (Under Voltage Lock Out), IGBT будет выключен, игнорируя входной сигнал.

Таблица 10. Функции CIPOS ™ Mini и напряжение источника питания управления

Диапазон управляющего напряжения, В

Функциональные операции CIPOS ™ Mini

0 …4

Микросхема управления не работает. Блокировка от снижения напряжения и выход аварии не работают.

4 … 13

Когда активирована функция блокировки от снижения напряжения, управляющие входные сигналы заблокированы и генерируется сигнал аварии VFO.

13 … 14

IGBT будут работать в соответствии с входным сигналом управления. Так как напряжение управления ниже рекомендованного диапазона, напряжение насыщения Vce (sat) и потери при переключении будут больше, чем в нормальном состоянии. IGBT верхних плечей не могут работать после инициализации заряда VBS, потому что VBS не может достичь VBSUV +.

14 … 18.5 для VDD

13.5 … 18.5 для VBS

Нормальная работа. Это рекомендованное рабочее состояние. Напряжение VDD 16 В рекомендовано, когда используется только интегрированная бутстрепная цепь. (Напряжение VDD = 14.5 … 18.5 В рекомендовано для IKCMxxy60zu).

18.5 … 20 для VDD

18.5 … 20 для VBS

IGBT по-прежнему работают. Поскольку напряжение управления выше рекомендованного диапазона, переключение транзисторов IGBT происходит быстрее. Это вызывает увеличение шума системы. Пиковый ток короткого замыкания может быть слишком большим для правильной работы защиты от короткого замыкания.

Выше  20

Управляющая схема в CIPOS ™ Mini может быть повреждена.

Временная диаграмма работы функции защиты от падения напряжения для нижнего плеча

Рис. 15. Временная диаграмма работы функции защиты от падения напряжения для нижнего плеча

Временная диаграмма работы функции защиты от падения напряжения для верхнего плеча

Рис. 16. Временная диаграмма работы функции защиты от падения напряжения для верхнего плеча

Защита от перегрузки по току

Временная диаграмма защиты от перегрузки по току (OC)

CIPOS ™ Mini имеет функцию выключения при перегрузке по току. Внутренняя микросхема модуля мониторит напряжение на выводе ITRIP и, если это напряжение превышает напряжение VIT,TH+, которое специфицировано в даташитах на модули, активируется сигнал аварии, и все IGBT выключаются. Обычно максимальное значение тока короткого замыкания зависит от напряжения затвора. Большее напряжение затвора приводит к большему току короткого замыкания. Чтобы избежать этой потенциальной проблемы, максимальный уровень превышения тока обычно устанавливается ниже 2-кратного номинального тока коллектора. Временная диаграмма защиты от перегрузки по току представлена на Рис. 17.

 Временная диаграмма работы функции защиты от перегрузки по току

Рис. 17. Временная диаграмма работы функции защиты от перегрузки по току

Выбор токочувствительного шунтового резистора

Величина токочувствительного резистора рассчитывается с помощью следующего выражения:

formula_2_1.png (793 b),

где  VIT,TH+ – это ITRIP пороговое напряжение положительного перехода CIPOS ™ Mini. Типичное значение 0.47 В. Ioc – это уровень обнаружения перегрузки по току (OC).

Максимальная величина уровня защиты от перегрузки по току должна быть установлена ниже, чем повторяющийся пиковый ток коллектора с учетом допуска шунтирующего резистора (см. даташит).

Например, максимальный пиковый ток коллектора IGCM10F60z 20Apeak, и, таким образом, рекомендуемая величина шунтового резистора рассчитывается как:

(1)

Для расчета номинальной мощности шунтирующего резистора следует учитывать приведенные ниже параметры:

  • Максимальный ток нагрузки инвертора (Irms): 6 Arms
  • Коэффициент снижения мощности рассеивания шунтового резистора при температуре 100°C: 80%
  • Запас надежности: 30%

formula_2_3.png (2 KB)(2)

Таким образом, правильная номинальная мощность шунтового резистора должна быть более 1.4 Вт, т. е. 2 Вт.

Основанные на предыдущих уравнениях, состояниях и методе вычисления, минимальное сопротивление шунта и мощность шунтового резистора, соответствующие продуктам CIPOS ™ Mini приводятся в Таблице 11.

Учитывая уровень защиты от перегрузки по току, требуемые для приложения, заметим, что сопротивление и номинальную мощность нужно выбирать выше минимального уровня.

Таблица 11. Минимальные значения сопротивления RSH и мощности PSH шунтового резистора для CIPOS ™ Mini

Table_11_.png (17 KB)

Время задержки

В цепи измерения перегрузки по току необходим RC фильтр, чтобы предотвратить отказ функции защиты, вызванный шумом. Постоянная времени RC фильтра определяется с учетом продолжительности шума и времени противостояния короткому замыканию транзистора IGBT.

Когда напряжение на шунтовом резисторе превышает ITRIP порог положительного перехода (VIT, TH +), это напряжение прикладывается к выводу ITRIP CIPOS™ Mini через RC фильтр.

В Таблице 12 приведена спецификация референсного уровня защиты от перегрузки по току. Напряжение VIT, TH + и время задержки фильтра рассчитываются по формулам (3) и (4)

formula_2_4.png (1 KB)  (3),

formula_2_5.png (1 KB)(4),

Где VIT, TH + - входное напряжение на выводе ITRIP, Ic – пиковый ток, RSH – величина шунтового резистора и τ- постоянная времени RC.

Таблица 12. Спецификация референсного уровня защиты от перегрузки по току

Наименование

Мин.

Тип.

Макс.

Ед. измерения

Порог VIT, TH + положительного перехода ITRIP

0.4

0.47

0.54

В

Таблица 13. Время внутренней задержки цепи защиты от перегрузки по току

Table_13_.png (32 KB)

Поэтому общее время выключения IGBT от положительного перехода порога напряжения (VIT,TH+) сигналом на входе контакта ITRIP составит:

formula_2_7.png (868 b)  (3)

Задержка выключения обратно пропорциональна диапазону тока, поэтому время tITRIP сокращается тем больше, чем больше ток отличается от 0. Общее время задержки должно быть менее 5 мкс – времени короткого замыкания tsc, которое выдерживает устройство в соответствии с документацией. Таким образом, постоянная времени RC должна быть установлена в пределах 1–2 мкс. Рекомендуемые величины для компонентов фильтра  R=1.8 кОм, C= 1нФ.

Схема выхода сигнала аварии

Таблица 14. Максимальные значения на выходе сигнала аварии

Наименование

Символ

Состояние

Номинал

Единица

Источник питания выхода аварии

VFO

Приложен между VFO и VSS

-0.5  … VDD+0.5

В

Ток на выходе сигнала аварии

IFO

Ток через вывод VFO

10

мА

Таблица 15. Электрические характеристики

Наименование

Символ

Состояние

Типичное значение

Единица

Ток на выходе сигнала аварии

IFO

VITRIP = 0 В, VFO=5V

2

нА

Напряжение на выходе сигнала аварии

VFO

IFO = 10mA, VITRIP=1V

0.5

В

Так как VFO является выводом с открытым стоком, то он должен быть подтянут к высокому уровню с помощью резистора. Резистор должен быть рассчитан в соответствии со спецификацией выше.

Защита от перегрева

CIPOS™ Mini с опциональной функцией измерения температуры имеет единый выход аварии и температурного зондирования. На Рис. 18 показана зависимость внутреннего сопротивления термистора от его температуры. В этом разделе приведена схема защиты от перегрева. Как показано на Рис. 19, вывод VFO подключен непосредственно к АЦП и к выводам микроконтроллера, отвечающим за обнаружение неисправности. Это очень простая схема, которая позволяет микроконтроллеру выключить IGBT. Например, когда R1=3.6 кОм, тогда на выходе VFO при температуре термистора 100°C типичное напряжение составляет 2.95 В при Vctr=5 В и 1.95 В при Vctr=3.3 В как показано на Рис. 20. Заметим, что напряжение VFO для защиты от перегрева должно быть не меньше порога реакции порта микроконтроллера на сигнал аварии (micro controller fault trip level).

Внутреннее сопротивление термистора как функция его температуры

Рис. 18. Внутреннее сопротивление термистора как функция его температуры

Схема защиты от перегрева

Рис. 19. Схема защиты от перегрева

Напряжение на выходе VFO в соответствии с температурой термистора

Рис. 20. Напряжение на выходе VFO в соответствии с температурой термистора

Бутстрепная цепь

Работа бутстрепной схемы

Напряжение VBS, которое представляет собой разность напряжений между VB (U, V, W) и VS (U, V, W), обеспечивает питание микросхемы (IC) внутри CIPOS ™ Mini. Чтобы быть уверенным, что микросхема может полностью управлять верхним плечом IGBT, напряжение этого источника питания должно находиться в пределах 13 В…18.5 В. CIPOS™ Mini имеет функцию обнаружения снижения напряжения для VBS. Это гарантирует, что микросхема не будет управлять верхним плечом IGBT, если падение напряжения на VBS ниже заданного в спецификации (см. документацию). Эта функция предотвращает работу IGBT в режиме высокой рассеиваемой мощности. Функция блокировки любой секции верхнего плеча при снижении напряжения действует только на активированный канал без какой-либо обратной связи с уровнем управления.

Существует несколько способов создания плавающего источника VBS. Один из них, описанный здесь – это бутстрепный метод. Преимущество этого метода в простоте и дешевизне. Однако для этого метода рабочий цикл и время работы ограничены требованием перезаряда бутстрепного конденсатора. Бутстрепный источник сформирован комбинацией диода, резистора и конденсатора, как показано на Рис. 21. Путь, который проходит ток бутстрепного конденсатора, показан также на Рис. 21. Когда VS подтянут к земле (через нижнее плечо или нагрузку) бутстрепный конденсатор (CBS) заряжается через бутстрепный диод (DBS) и резистор (RBS) от источника VDD.

Характеристики внутренней бутстрепной цепи

CIPOS™ Mini включает три бутстрепные цепи во внутренней микросхеме драйвера, каждая из которых содержит диод и резистор, как показано на Рис. 3. Типичная величина бутстрепного резистора 40 Ом при комнатной температуре. Дополнительная информация приведена в таблице 16. RBS2 и RBS3 имеют одинаковые с RBS1 номиналы.

Напряжение VDD= 16 В рекомендовано только в случае, когда используется интегрированная бутстрепная цепь.

Таблица 16. Некоторые параметры внутренней бутстрепной цепи

Table_16_.png (12 KB)

Высоковольтное питание для драйвера затвора между VSx и VSS ограничено работой схемы в динамике.

Если необходимо уменьшить бутстрепное сопротивление, рекомендуется использовать внешнюю бутстрепную цепь. Например, когда к CIPOS ™ Mini подключен внешний бутстрепный резистор 39 Ом и бутстрепный диод 1N4937, бутстрепное сопротивление становится равным около 25 Ом, как показано в Таблице 17.

Таблица 17. Бутстрепное сопротивление с внешней бутстрепной цепью (39 Ом и 1N4937)

Table_17_.png (6 KB)

Инициализация заряда бутстрепного конденсатора

Для инициализации процесса полного заряда бутстрепного конденсаторе требуется адекватная длительность включенного состояния нижнего плеча IGBT. Время заряда (tcharge, initial charging time) можно рассчитать по следующей формуле:

formula_2_8.png (2 KB)   (4)

 где

  • VFD = Прямое падение напряжения на бутстрепном диоде
  • VBS(min) = Минимальная величина напряжения бутстрепного конденсатора
  • VLS = Падение напряжения на IGBT нижнего плеча
  • δ = Коэффициент заполнения для ШИМ (Duty ratio of PWM )

Работа бутстрепной цепи и и заряд бутстрепного конденсатора

Рис. 21. Работа бутстрепной цепи и и заряд бутстрепного конденсатора

Выбор бутстрепного конденсатора

 Бутстрепный конденсатор можно рассчитать по формуле:

formula_2_9.png (902 b)  (5),


где

  • Δt = максимальная длительность ширины импульса включения верхнего плеча IGBT
  • ΔV = допустимое напряжение разряда конденсатора CBS.
  • Ileak= максимальный ток разряда CBS, происходящий главным образом за счет следующих механизмов:
    • Заряд затвора для включения IGBT верхнего плеча
    • Ток покоя микросхемы, текущий к верхнему плечу
    • Заряд, необходимый для схемы сдвига уровней в микросхеме
    • Ток утечки бутстрепного диода
    • Ток утечки конденсатора CBS (для неэлектролитического конденсатора можно игнорировать)
    • Заряд обратного восстановления бутстрепного диода

На практике в качестве базисной величины тока утечки рекомендуется использовать значение 1 мА. Принимая во внимание разброс параметров и надежность, рекомендуется выбирать емкость в 2-3 раза выше, чем расчетная величина. Конденсатор CBS заряжается только тогда, когда IGBT верхнего плеча выключен, а напряжение VS подтянуто к земле. Поэтому время, в течение которого IGBT нижнего плеча открыт (включен), должно быть достаточным, чтобы заряд конденсатора CBS мог быть полностью пополнен. Следовательно, по сути, существует минимальное время включения IGBT нижнего плеча (или время, в течение которого IGBT верхнего плеча закрыт).

Бутстрепный конденсатор всегда должен располагаться как можно ближе к выводам модуля CIPOS™ Mini. По меньшей мере один конденсатор с низким ESR должен быть использован для обеспечения хорошей локальной развязки. Отдельный, близко расположенный к модулю, керамический конденсатор имеет важное значение, если в качестве бутстрепного использован электролитический конденсатор. Если в качестве бутстрепного использован керамический или танталовый конденсатор, он должен отвечать требованиям локальной развязки.

Заряд и разряд бутстрепного конденсатора во время работы  

Бутстрепный конденсатор CBS заряжается через бутстрепный диод DBS) и резистор (RBS) от источника VDD в соответствии с Рис. 21, когда IGBT верхнего плеча выключен и напряжение VS подтянуто к земле. Он разряжается, когда открыт IGBT верхнего плеча или диод.

Пример 1: Выбор исходного времени заряда (initial charging time) 

Пример расчета минимальной величины времени заряда приведен в уравнении (4).

Условия:

  • CBS = 4.7 мкФ, RBS = 40 Ом, Коэффициент заполнения (δ)= 0.5, DBS = внутренний бутстрепный диод, VDD = 15 В, VFD = 0.9 В
  • VBS (min) = 13.5 В, VLS = 0.1 В

Для обеспечения безопасности рекомендуется, чтобы время заряда было как минимум в три раза дольше, чем расчетное значение.

Пример 2: Минимальная величина емкости бутстрепного конденсатора

Состояние:

ΔV=0.1 В, Ileak=1 мА.

Бутстрепный конденсатор как функция частоты переключения

Рис. 22. Бутстрепный конденсатор как функция частоты переключения

На Рис. 22 показана кривая, соответствующая уравнению (5) для непрерывной синусоидальной модуляции, если напряжение пульсаций ΔVBS = 0.1 В. Рекомендуемая бутстрепная емкость для метода непрерывной синусоидальной модуляции находится в диапазоне до 4.7 мкФ для большинства частот переключения. В случае другого ШИМ метода подобного прерывистой синусоидальной модуляции tcharge должно быть установлено как самый длинный период выключенного состояния IGBT нижнего плеча.

Заметим, что этот результат является только примером. Рекомендуется, чтобы в дизайне системы учитывались и другие факторы, например, время жизни компонентов.

Управляющая Интегрированная Силовая Система (CIPOS™). Техническое описание CIPOSTM Mini IPM

Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IGCM04G60HAXKMA1
IGCM04G60HAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114515 PDF RND
Доступно: 73 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IGCM04G60HAXKMA1 от 1 шт. от 883,73
73 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IGCM06F60GAXKMA1
IGCM06F60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114518 ИНФО PDF RND
Доступно: 63 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IGCM06F60GAXKMA1 от 1 шт. от 1031,25
63 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IGCM06G60GAXKMA1
IGCM06G60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114520 PDF RND
от: 280 руб.
Поиск
предложений
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IGCM06G60GAXKMA1 от 280 шт. от 454,64
-
Поиск
предложений
IGCM06G60HAXKMA1
IGCM06G60HAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114521 PDF RND
Доступно: 139 шт. от: 280 руб.
Выбрать
условия
поставки
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IGCM06G60HAXKMA1 от 280 шт. от 463,80
139 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IGCM10F60GAXKMA1
IGCM10F60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114522 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 121 шт. от: 341 руб.
Control Integrated POwer System (CIPOS™) IGCM10F60GA
IGCM10F60GAXKMA1 341,00 от 6 шт. 341,00 от 14 шт. 341,00 от 28 шт. 341,00 от 70 шт. 341,00
93 шт.
(на складе)
28 шт.
(под заказ)
IGCM15F60GAXKMA1
IGCM15F60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114524 PDF AN RND
Доступно: 55 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
IGCM15F60GAXKMA1 от 1 шт. от 1162,53
55 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IGCM20F60GAXKMA1
IGCM20F60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114526 PDF AN RND
Доступно: 48 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
IGCM20F60GAXKMA1 от 1 шт. от 1350,64
48 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IKCM10H60GAXKMA1
IKCM10H60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114615 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 74 шт. от: 872 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IKCM10H60GAXKMA1 872,00 от 5 шт. 748,00 от 10 шт. 673,00 от 22 шт. 623,00 от 56 шт. 592,00
74 шт.
(на складе)
IKCM10L60GAXKMA1
IKCM10L60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114617 PDF RND
Доступно: 98 шт. от: 663 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IKCM10L60GAXKMA1 663,00 от 6 шт. 569,00 от 14 шт. 512,00 от 28 шт. 474,00 от 70 шт. 450,00
98 шт.
(на складе)
IKCM15L60GAXKMA1
IKCM15L60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114623 PDF RND
Доступно: 63 шт. от: 1020 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IKCM15L60GAXKMA1 1020,00 от 4 шт. 871,00 от 9 шт. 784,00 от 19 шт. 726,00 от 42 шт. 689,00
58 шт.
(на складе)
5 шт.
(под заказ)
IKCM15L60GDXKMA1
IKCM15L60GDXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114624 ИНФО PDF RND
Доступно: 52 шт. от: 1250 руб.
CIPOS™ Mini-DCB transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home appliance and low power industrial application with a current rating from 4A to 30A and a power rating up to 3kW.
IKCM15L60GDXKMA1 1250,00 от 4 шт. 1070,00 от 7 шт. 961,00 от 14 шт. 890,00 от 42 шт. 845,00
52 шт.
(на складе)
IKCM20L60GAXKMA1
IKCM20L60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114628 ИНФО PDF RND
Доступно: 56 шт. от: 1160 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IKCM20L60GAXKMA1 1160,00 от 4 шт. 994,00 от 8 шт. 894,00 от 14 шт. 828,00 от 42 шт. 787,00
56 шт.
(на складе)
IKCM20L60GDXKMA1
IKCM20L60GDXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114629 PDF RND
Доступно: 44 шт. от: 1470 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini-DCB transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for hom…
IKCM20L60GDXKMA1 1470,00 от 3 шт. 1260,00 от 6 шт. 1140,00 от 14 шт. 1050,00 от 28 шт. 999,00
44 шт.
(на складе)
IKCM30F60GAXKMA1
IKCM30F60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114633 ИНФО PDF RND
Доступно: 44 шт. от: 1470 руб.
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for home ap…
IKCM30F60GAXKMA1 1470,00 от 3 шт. 1260,00 от 6 шт. 1130,00 от 14 шт. 1050,00 от 28 шт. 998,00
44 шт.
(на складе)
IKCM30F60GDXKMA1
IKCM30F60GDXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114634 PDF RND
Доступно: 33 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
Intelligent Power Modules (IPM), CIPOS™ Mini-DCB transfer-molded intelligent power modules achieve cost efficiency and were designed specifically for hom…
IKCM30F60GDXKMA1 от 1 шт. от 1951,52
33 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IM512L6AXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722405
Доступно: 53 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
IM512L6AXKMA1 от 1 шт. от 1223,42
53 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IM513L6AXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722406
Доступно: 45 шт. от: 1 руб.
Выбрать
условия
поставки
IM513L6AXKMA1 от 1 шт. от 1421,01
45 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IKCM15H60GAXKMA1
IKCM15H60GAXKMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2732864
Доступно: 92 шт. от: 701 руб.
IKCM15H60GAXKMA1 701,00 от 6 шт. 601,00 от 14 шт. 541,00 от 28 шт. 500,00 от 70 шт. 475,00
92 шт.
(на складе)

Сравнение позиций

  • ()