Нитрид галлия без компромиссов

| GaN Systems

Своим развитием современная электроника обязана кремнию – материалу, на основе которого создаются практически все современные микросхемы, транзисторы и прочие полупроводниковые приборы. Но в наши дни кремний уже приблизился к пределу своих возможностей. Прогресс требует более мощных, быстрых, малошумящих устройств. Как известно, преимущества в одном часто приводят к проигрышу в чем-то другом, поэтому при разработке новых технологий приходится идти на компромиссы. Но есть материал, который, приходя на смену кремнию, выигрывает во всём – без компромиссов.

Нитрид галлия (GaN) известен достаточно давно. Первые работы по его исследованию датируются 40-ми годами прошлого века. Позже, в 70-х, были созданы GaN МДП-структуры, которые стали основой для разработки светодиодов голубого и зелёного свечения. Нитрид галлия применялся для производства светодиодов до 1990-х годов, когда впервые о нем заговорили как о самом перспективном материале не только для оптоэлектроники, но и применений в силовых и высокочастотных цепях.

Основное преимущество нитрида галлия перед остальными распространёнными материалами электроники – широкая запрещённая зона – 3,5 эВ против 1,1 эВ у кремния.  Это означает, что GaN-транзисторы работают при более высоких температурах и менее чувствительны к ионизирующему излучению (что в прямом смысле слова жизненно важно для космической и специальной электроники). В теории рабочая температура GaN-приборов достигает 500 °С, на практике же она пока что равна 150-200 °С. Максимальная напряжённость электрического поля у GaN – 3,3x106 В/см – это в 11 (!) раз больше, чем у кремния. А благодаря высокой плотности носителей заряда GaN-транзисторы выдерживают гораздо большие токи. На диаграмме (рис.1) видно, что нитрид галлия выигрывает у традиционных материалов по всем основным характеристикам.

Сравнение характеристик приборов на основе нитрида галлия, кремния и арсенида галлия

Рис.1. Сравнение характеристик приборов на основе нитрида галлия, кремния и арсенида галлия

Видя столь серьёзные преимущества GaN, многие производители электронных компонентов начали разработку и производство продукции на его основе. Одна из таких компаний – GaN Systems, чья деятельность сосредоточена на силовых транзисторах.

Компания предлагает две серии n-канальных МОП-транзисторов на напряжения 100 и 650 В (рис.2). Транзисторы производятся по уникальной технологии FOM Island, которая позволяет уменьшить размеры транзисторов и снизить их стоимость. Особые корпуса GANfx (рис.3) без проволочных выводов при толщине всего 0,5 мм обеспечивают хороший теплоотвод и обладают крайне низкой индуктивностью.

Рис.2. Транзисторы GaN Systems

Рис.2. Транзисторы GaN Systems

Транзистор в корпусе GaNfx

Рис.3. Транзистор в корпусе GaNfx

Транзисторы GaN Systems обладают значительно меньшим зарядом затвора (рис.4), что повышает эффективность их работы.

Отношение заряда затвора и сопротивления канала для GaN- и кремниевых транзисторов

Рис.4. Отношение заряда затвора и сопротивления канала для GaN- и кремниевых транзисторов

Силовые GaN-транзисторы могут применяться в импульсных преобразователях напряжения, источниках бесперебойного питания, солнечных электростанциях и ветряных генераторах, на транспорте. Особая область их применения – гибридные и электрические транспортные средства. Из-за высоких мощностей потеря даже 5% КПД (у кремниевых ключей КПД в лучшем случае – около 95%) означает, что на компонентах выделяются киловатты тепла. Для их отвода требуются громоздкие радиаторы и системы водяного охлаждения. А так как КПД преобразователей на основе GaN достигает 98–99%, а сами транзисторы могут работать при более высокой температуре, им достаточно воздушного охлаждения и небольших радиаторов. Высокая эффективность компонентов GaN важна и для систем питания от нестабильных природных источников энергии ­– солнца, ветра и т.д.

О компании

GaN Systems (Оттава, Канада) концентрирует усилия на разработке мощных компонентов для силовых цепей на основе нитрида галлия. Применение недорогой технологии производства GaN-транзисторов на кремниевых подложках позволило выпустить на рынок изделия с конкурентной стоимостью, превосходящие кремниевые аналоги по ряду параметров. 

Производитель: GaN Systems
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
GS66508P-E03-TY
GS66508P-E03-TY
GaN Systems
Арт.: 1895271 ИНФО PDF
7077,80
Поиск
предложений
GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал. Vds: 650 V Vgs: 10 V Id : 30 A Rds On : 52 mOhms Qg: 6.5 nC Ciss : 180 pF
GS66508P-E03-TY 7077,80
-
Поиск
предложений
GS66508T-EVBHB
GS66508T-EVBHB
GaN Systems
Арт.: 2090043 ИНФО PDF
51432,00
Поиск
предложений
Характеристики отладочной платы GS66508T-EVBHB: • базовая схема: полумост; • тип транзисторов: GS66508T 650 В; • возможные схемы включения: полумост, повышающий DC/DC преобразователь, понижающий DC/DC преобразователь; • напряжение питания: 9…12 В; • выходной ток: до 30 А; • достижимый КПД: >98,5 % при выходной мощности 1…2 кВт (понижающий преобразователь).
GS66508T-EVBHB 51432,00
-
Поиск
предложений
GS66508T-E02-TY
GS66508T-E02-TY
GaN Systems
Арт.: 2090044 ИНФО PDF DT
5504,95
Поиск
предложений
Характеристики GaN-транзистора GS66508T: • Рейтинг напряжения: 650 В; • Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм; • Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм; • Максимальный токе стока: 30А; • Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В; • Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В; • Рабочая частота: более 100 МГц; • Расположение теплоотводящей площадки: сверху; • Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.
GS66508T-E02-TY 5504,95
-
Поиск
предложений
GS665BTP-REF
GS665BTP-REF
GaN Systems
Арт.: 2294931 ИНФО PDF
Поиск
предложений
High efficiency bridgeless totem pole PFC reference design using GaN E-HEMT
GS665BTP-REF
-
Поиск
предложений
GS665MB-EVB
GS665MB-EVB
GaN Systems
Арт.: 2739227 ИНФО
Доступно: 12 шт. от 1 шт. от 17155,20
Выбрать
условия
поставки
650 V Universal Motherboard
GS665MB-EVB от 1 шт. от 17155,20
12 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS66504B-EVBDB
GS66504B-EVBDB
GaN Systems
Арт.: 2739228 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Дочерний модуль с GaN транзистором GS66504B к материнской плате GS665MB-EVB
GS66504B-EVBDB
-
Поиск
предложений
GS66508B-EVBDB
GS66508B-EVBDB
GaN Systems
Арт.: 2739229 ИНФО
Поиск
предложений
650 V GaN E-HEMT Daughter Board
GS66508B-EVBDB
-
Поиск
предложений
GS66508T-EVBDB
GS66508T-EVBDB
GaN Systems
Арт.: 2739230 ИНФО
Поиск
предложений
650 V GaN E-HEMT Daughter board
GS66508T-EVBDB
-
Поиск
предложений
GS66516T-EVBDB
GS66516T-EVBDB
GaN Systems
Арт.: 2739231 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Средство разработки интегральных схем (ИС) управления питанием GS66516T Half Bridge Daughter Board
GS66516T-EVBDB
-
Поиск
предложений
GSP65R25HB-EVB
GSP65R25HB-EVB
GaN Systems
Арт.: 2739232 ИНФО PDF
Доступно: 11 шт. от 1 шт. от 53962,20
Выбрать
условия
поставки
650V/25mOhm, 2-4kW
GSP65R25HB-EVB от 1 шт. от 53962,20
11 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP65R13HB-EVB
GSP65R13HB-EVB
GaN Systems
Арт.: 2739234 ИНФО PDF
Поиск
предложений
650V/13mOhm, 4-7kW
GSP65R13HB-EVB
-
Поиск
предложений
GSM-065-120-1-N-0
GSM-065-120-1-N-0
GaN Systems
Арт.: 2739235 ИНФО
Поиск
предложений
The 120A GSM-065-120-1-N-0 contains one single GS-065-120-1-D
GSM-065-120-1-N-0
-
Поиск
предложений
GSM-065-240-1-N-0
GSM-065-240-1-N-0
GaN Systems
Арт.: 2739236 ИНФО
Поиск
предложений
The 240A GSM-065-240-1-N-0 contains two GS-065-120-1-D, connected in parallel for higher current applications and as a demonstration vehicle for general paralleling of the GS-065-120-1-D
GSM-065-240-1-N-0
-
Поиск
предложений
GS61008P-EVBHF
GS61008P-EVBHF
GaN Systems
Арт.: 2739237 ИНФО
Доступно: 32 шт. от 1 шт. от 33478,90
Выбрать
условия
поставки
100V, GaN E-HEMT Buck Converter with High Frequency GaN Driver
GS61008P-EVBHF от 1 шт. от 33478,90
32 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
S61004B-EVBCD
S61004B-EVBCD
GaN Systems
Арт.: 2739238 ИНФО
Поиск
предложений
100 V GaN E-HEMT FB EVB Optimized for Class D Amplifiers
S61004B-EVBCD
-
Поиск
предложений
GSWP100W-EVBPA
GSWP100W-EVBPA
GaN Systems
Арт.: 3093338 ИНФО PDF
Доступно: 9 шт. от 1 шт. от 80690,60
Выбрать
условия
поставки
100W GaN E-HEMT Wireless Power Transfer Evaluation Board, Optimized for Class EF2 Amplifiers
GSWP100W-EVBPA от 1 шт. от 80690,60
9 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSWP300W-EVBPA
GSWP300W-EVBPA
GaN Systems
Арт.: 3093339 ИНФО PDF
Доступно: 4 шт. от 1 шт. от 97539,50
Выбрать
условия
поставки
300W GaN E-HEMT Wireless Power Transfer Evaluation Board, Optimized for Class EF2 Amplifiers
GSWP300W-EVBPA от 1 шт. от 97539,50
4 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS66508T-EVBDB2
GS66508T-EVBDB2
GaN Systems
Арт.: 3093342 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Оценочная плата на базе 650В Enhancement-mode HEMTs (E-HEMTs) GaN транзистора фирмы GaN Systems
GS66508T-EVBDB2
-
Поиск
предложений
GS66516T-EVBDB2
GS66516T-EVBDB2
GaN Systems
Арт.: 3093343 ИНФО PDF
Доступно: 19 шт. от 1 шт. от 39207,80
Выбрать
условия
поставки
Оценочная плата на базе 650В Enhancement-mode HEMTs (E-HEMTs) GaN транзистора фирмы GaN Systems
GS66516T-EVBDB2 от 1 шт. от 39207,80
19 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-010-120-1-P
GS-010-120-1-P
GaN Systems
Арт.: 3093344 ИНФО
Поиск
предложений
100V Enhancement Mode GaN Transistor
GS-010-120-1-P
-
Поиск
предложений
GS66502B
GS66502B
GaN Systems
Арт.: 3093345 ИНФО PDF
Поиск
предложений
650V Enhancement Mode GaN Transistor
GS66502B
-
Поиск
предложений
GS66504B
GS66504B
GaN Systems
Арт.: 3093346 ИНФО PDF
Поиск
предложений
650V Enhancement Mode GaN Transistor
GS66504B
-
Поиск
предложений
GS-065-120-1-D
GS-065-120-1-D
GaN Systems
Арт.: 3093347 ИНФО
Поиск
предложений
650V Enhancement Mode GaN Transistor
GS-065-120-1-D
-
Поиск
предложений
GS66504B-E01
GS66504B-E01
GaN Systems
Арт.: 3093533
Поиск
предложений
MOSFET 650V 15A E-Mode GaN
GS66504B-E01
-
Поиск
предложений
GS61008P-E03-TY
GS61008P-E03-TY
GaN Systems
Арт.: 3095760 ИНФО PDF
1887,41
Поиск
предложений
GaN транзистор на напряжение 100V в корпусе с низкой индуктивностью. N-Канал. Vds: 100 V Vgs: 10 V Id : 90 A Rds On : 7.4 mOhms Qg: 16 nC Ciss : 345 pF
GS61008P-E03-TY 1887,41
-
Поиск
предложений
GSWP050W-EVBPA
GSWP050W-EVBPA
GaN Systems
Арт.: 3202082 ИНФО PDF
Доступно: 17 шт. от 1 шт. от 53520,50
Выбрать
условия
поставки
50W, 6.78 MHz Class EF2 Power Amplifier For Wireless Power Transfer
GSWP050W-EVBPA от 1 шт. от 53520,50
17 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-065-004-1-L
GS-065-004-1-L
GaN Systems
Арт.: 3209510 ИНФО PDF
Доступно: 4471 шт. от 1 шт. от 408,41
Выбрать
условия
поставки
The GS-065-004-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. VDS: 650 V E-HEMT, IDS:3.5 A, RDS(ON): 500 mOhm
GS-065-004-1-L от 1 шт. от 408,41
4471 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-065-008-1-L
GS-065-008-1-L
GaN Systems
Арт.: 3209512 ИНФО PDF DT
Доступно: 3756 шт. от 1 шт. от 487,95
Выбрать
условия
поставки
650V Enhancement Mode GaN Transistor. VDS:650 V E-HEMT, IDS:8 A, RDS(ON): 225 mOhm
GS-065-008-1-L от 1 шт. от 487,95
3756 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-065-011-1-L
GS-065-011-1-L
GaN Systems
Арт.: 3209513 ИНФО PDF
Доступно: 1813 шт. от 1 шт. от 935,54
Выбрать
условия
поставки
650V Enhancement Mode GaN Transistor. VDS:650 V E-HEMT, IDS:11 A, RDS(ON): 150 m?
GS-065-011-1-L от 1 шт. от 935,54
1813 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS65011-EVBEZ
GS65011-EVBEZ
GaN Systems
Арт.: 3477968 ИНФО PDF
Доступно: 31 шт. от 1 шт. от 18959,10
Выбрать
условия
поставки
EZDrive Open Loop Burst Eval Board
GS65011-EVBEZ от 1 шт. от 18959,10
31 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP66508HB-EVBIMS2
GSP66508HB-EVBIMS2
GaN Systems
Арт.: 3480158 ИНФО
Доступно: 20 шт. от 1 шт. от 12643,00
Выбрать
условия
поставки
Optimized IMS 2 Half Bridge based on GS66508B GaNPX® bottom-cooled E-HEMTs
GSP66508HB-EVBIMS2 от 1 шт. от 12643,00
20 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP66516HB-EVBIMS2
GSP66516HB-EVBIMS2
GaN Systems
Арт.: 3480159 ИНФО
Доступно: 3 шт. от 1 шт. от 16250,60
Выбрать
условия
поставки
Power Management 650V, 25 mOhm, GaN High Power Half Bridge evaluation assembly IMS2
GSP66516HB-EVBIMS2 от 1 шт. от 16250,60
3 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP665HPMB-EVBIMS2
GSP665HPMB-EVBIMS2
GaN Systems
Арт.: 3480160 ИНФО
Доступно: 3 шт. от 1 шт. от 22572,10
Выбрать
условия
поставки
Power Management High Power Full Bridge evaluation platform mother board IMS2
GSP665HPMB-EVBIMS2 от 1 шт. от 22572,10
3 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP65MB-EVB
GSP65MB-EVB
GaN Systems
Арт.: 3480616 ИНФО PDF
Доступно: 5 шт. от 1 шт. от 26905,60
Выбрать
условия
поставки
650 V Universal Motherboard
GSP65MB-EVB от 1 шт. от 26905,60
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS66508B-EVBDB1
GS66508B-EVBDB1
GaN Systems
Арт.: 3480617 ИНФО
Поиск
предложений
650 V GaN E-HEMT Daughter Board
GS66508B-EVBDB1
-
Поиск
предложений
GS1200BTP-EVB
GS1200BTP-EVB
GaN Systems
Арт.: 3480619 ИНФО PDF
Доступно: 4 шт. от 1 шт. от 132828,00
Выбрать
условия
поставки
High-Efficiency 1.2 kW GaN Based Bridgeless Totem-Pole PFC
GS1200BTP-EVB от 1 шт. от 132828,00
4 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-HB-66508B-ON1
GS-EVB-HB-66508B-ON1
GaN Systems
Арт.: 3492458 ИНФО
Поиск
предложений
Power Management IC GS66508T Half Bridge Daughter Board
GS-EVB-HB-66508B-ON1
-
Поиск
предложений
GS66516T
GaN Systems
Арт.: 3493646 ИНФО
Поиск
предложений
650V Enhancement Mode GaN Transistor
GS66516T
-
Поиск
предложений
GS61004B-E01-MR
GaN Systems
Арт.: 3641689
Поиск
предложений
GS61004B-E01-MR
-
Поиск
предложений
GS61004B-MR
GaN Systems
Арт.: 3671922
Поиск
предложений
GS61004B-MR
-
Поиск
предложений
GS-065-060-5-T-A
GaN Systems
Арт.: 3674872 ИНФО
Поиск
предложений
650V, 60A. Meets automotive reliability standards including AEC-Q101 qualification and GaN Systems’ AutoQual+ testing and qualification
GS-065-060-5-T-A
-
Поиск
предложений
GS-065-080-1-D
GaN Systems
Арт.: 3674875 ИНФО
Поиск
предложений
80 A 18 m? 16 nC 6.6 x 5.6 x 0.26 mm Die
GS-065-080-1-D
-
Поиск
предложений
GS61008P-MR
GaN Systems
Арт.: 3676175
Доступно: 142 шт. от 1 шт. от 1657,38
Выбрать
условия
поставки
GS61008P-MR от 1 шт. от 1657,38
142 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS61008T-MR
GaN Systems
Арт.: 3676176
Доступно: 488 шт. от 3 шт. от 2353,74
Выбрать
условия
поставки
GS61008T-MR от 3 шт. от 2353,74
488 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS61008T-TR
GaN Systems
Арт.: 3676177
Доступно: 8500 шт. от 8500 шт. от 941,67
Выбрать
условия
поставки
GS61008T-TR от 8500 шт. от 941,67
8500 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS61008P-TR
GaN Systems
Арт.: 3676178
Доступно: 123 шт. от 3 шт. от 2353,74
Выбрать
условия
поставки
GS61008P-TR от 3 шт. от 2353,74
123 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS61004B-TR
GaN Systems
Арт.: 3676179
Поиск
предложений
GS61004B-TR
-
Поиск
предложений
GS61004B-EVBCD
GaN Systems
Арт.: 3676180
Доступно: 18 шт. от 1 шт. от 49198,00
Выбрать
условия
поставки
GS61004B-EVBCD от 1 шт. от 49198,00
18 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-BTP-3KW-GS
GaN Systems
Арт.: 3676184
Поиск
предложений
GS-EVB-BTP-3KW-GS
-
Поиск
предложений
GS-EVB-IMS2-LPMB
GaN Systems
Арт.: 3679401 ИНФО
Доступно: 18 шт. от 1 шт. от 29294,50
Выбрать
условия
поставки
650 V Universal Low-Power Dual Half Bridge / Full Bridge Non-Isolated Gate Driver Motherboard for IMS2.
GS-EVB-IMS2-LPMB от 1 шт. от 29294,50
18 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-IMS2-065011L-GS
GaN Systems
Арт.: 3679404 ИНФО
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 15427,30
Выбрать
условия
поставки
650 V GaN Low Power IMS2 Half Bridge
GS-EVB-IMS2-065011L-GS от 1 шт. от 15427,30
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-IMS2-66504B-GS
GaN Systems
Арт.: 3679409
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 19067,40
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-IMS2-66504B-GS от 1 шт. от 19067,40
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GSP66508BHB-EVBIMS2
GaN Systems
Арт.: 3679411
Поиск
предложений
GSP66508BHB-EVBIMS2
-
Поиск
предложений
GS-EVB-HB-61008P-ON
GaN Systems
Арт.: 3686934 ИНФО
Доступно: 7 шт. от 2 шт. от 8336,57
Выбрать
условия
поставки
100V High-Speed GaN Half-Bridge
GS-EVB-HB-61008P-ON от 2 шт. от 8336,57
7 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS66502B-E01-B
GaN Systems
Арт.: 3687682
Поиск
предложений
GS66502B-E01-B
-
Поиск
предложений
GS66502B-B
GaN Systems
Арт.: 3687688
Доступно: 250 шт. от 7 шт. от 899,20
Выбрать
условия
поставки
GS66502B-B от 7 шт. от 899,20
250 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS66504B-B
GaN Systems
Арт.: 3720655 DT
Доступно: 150 шт. от 6 шт. от 1034,62
Выбрать
условия
поставки
GS66504B-B от 6 шт. от 1034,62
150 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS
GaN Systems
Арт.: 3920876 ИНФО
Доступно: 2 шт. от 1 шт. от 141872,00
Выбрать
условия
поставки
The GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS platform is a Class D amplifier board only (GS-EVB-AUD-AMP1-GS) or bundled with a switch-mode power supply (SMPS) board (GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS)
GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS от 1 шт. от 141872,00
2 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
GS61008T
GaN Systems
Арт.: 3922496
Поиск
предложений
GS61008T
-
Поиск
предложений
GS66516B-E01
GaN Systems
Арт.: 3928722
Поиск
предложений
GS66516B-E01
-
Поиск
предложений
GS66516B-MR
GaN Systems
Арт.: 3930390
Поиск
предложений
GS66516B-MR
-
Поиск
предложений
GS-065-060-5-B-A
GaN Systems
Арт.: 3933676 ИНФО
Поиск
предложений
RDS(on) (25m?); a 60A IDS rating; 11mm x 9mm PCB footprint
GS-065-060-5-B-A
-
Поиск
предложений
GS-EVB-LLC-3KW-GS
GaN Systems
Арт.: 3933900 ИНФО
Поиск
предложений
highest-power-density 3kW LLC reference design for power applications
GS-EVB-LLC-3KW-GS
-
Поиск
предложений
GS-065-011-2-L
GaN Systems
Арт.: 3955001 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
GS-065-011-2-L
-
Поиск
предложений
GS-065-030-2-L
GaN Systems
Арт.: 3955002 ИНФО
Поиск
предложений
650 V enhancement mode power transistor Bottom-cooled, small 8?8 mm PDFN package RDS(on) = 50 m? IDS(max) = 30 A
GS-065-030-2-L
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()