Практическая демонстрация влияния технологий IGBT5 и .XT на удельную мощность системы

Практическая демонстрация влияния технологий IGBT5 и .XT на  удельную мощность системыДальнейшее увеличение удельной рассеиваемой мощности и продление сроков эксплуатации мощных силовых модулей в настоящее время ограничены на уровне топологии полупроводникового кристалла и внутренних соединений. Разработчики из компании Infineon Technologies предлагают решение этой проблемы на базе нового поколения транзисторов IGBT5 с технологией .XT для формирования внутренних соединений в силовом модуле.

Статья в формате PDF (189 КБ)

Журнал: Новости электроники за 2016, №8, стр. 26-27
Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
FF1400R17IP4BOSA1
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113688 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2 шт. от: 40890 руб.
1700V PrimePACK3 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and NTC.
FF1400R17IP4BOSA1 40890,00
2 шт.
(на складе)