Полевые транзисторы (MOSFET)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095705 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзисторная сборка состоит из трех транзисторов: Q1 и Q2 объединены в полумост, а Q3 является независимым. Полумост из Q1 и Q2 - основной элемент усилителя класса D. Для управления этими транзисторами используется драйвер LM5113TM от Texas Instruments. При этом для создания синхронной бутстрепной схемы применяется транзистор Q3 той же сборки EPC2107.
EPC2107ENGRT
-
Поиск
предложений
                           
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()