Полевые транзисторы (MOSFET)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

10-PZ123BA080MR-M909L28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095558 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080MR-M909L28Y
-
Поиск
предложений
                           
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()