Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MBT35200MT1G, On Semiconductor

Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения


Параметры MBT35200MT1G

НаименованиеMBT35200MT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул887231
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом