Терраэлектроника

2SK3666-3-TB-E, On Semiconductor

J-FET транзистор


Параметры 2SK3666-3-TB-E

Наименование2SK3666-3-TB-E
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул857009
Напряжение пробоя Vbr
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max
Корпус
Тип транзистора
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом