Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.055ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Centres, Fixing30mm
Current, Idm Pulse160A
Device MarkingIRF150
Pins, No. of2
Pitch, Lead11mm
Power Dissipation150W
Power, Pd150W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF150

Наименование IRF150
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 8541
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF150, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1220,00 руб
от 3 шт. 1050,00 руб
от 7 шт. 956,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом