Терраэлектроника

IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.055ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Centres, Fixing30mm
Current, Idm Pulse160A
Device MarkingIRF150
Pins, No. of2
Pitch, Lead11mm
Power Dissipation150W
Power, Pd150W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF150

НаименованиеIRF150
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул8541
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF150, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1180,00 руб
от 3 шт. 1010,00 руб
от 7 шт. 925,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом