Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-3

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.055ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-3
Termination TypeThrough Hole
Centres, Fixing30mm
Current, Idm Pulse160A
Device MarkingIRF150
Pins, No. of2
Pitch, Lead11mm
Power Dissipation150W
Power, Pd150W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRF150, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF150

Наименование IRF150
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 8541
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF150, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1250,00 руб
от 3 шт. 1070,00 руб
от 7 шт. 978,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом