Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFD9110, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont0.7A
Resistance, Rds On1.2ohm
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.6A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFD9110, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD9110

Наименование IRFD9110
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 8536
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFD9110, доступные на складе

  • Изображение  IRFD9110PBF

    IRFD9110PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-100V; Current, Id Cont:0.7A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,30 руб
от 42 шт. 29,10 руб
от 100 шт. 25,00 руб
от 300 шт. 22,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом