Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF730, Samsung Electronics

LS:


IRF730, Samsung Electronics

Параметры IRF730

НаименованиеIRF730
ПроизводительSamsung Electronics (SAM)
Артикул8440

Аналоги IRF730, доступные на складе

  • Изображение  IRF730

    IRF730
    ST

    MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:400V;; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:1ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:530pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:22A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:300mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

Изображения IRF730

IRF730, Samsung Electronics IRF730, Samsung Electronics IRF730, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,90 руб
от 32 шт. 37,50 руб
от 91 шт. 32,20 руб
от 198 шт. 29,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом