Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF640, Samsung Electronics

OBS Позиция снята с производства

LS: 13 3 6 1 Транзистор полевой


IRF640, Samsung Electronics

Параметры IRF640

Наименование IRF640
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 8133

Аналоги IRF640, доступные на складе

  • Изображение  PHP20NQ20T.127

    PHP20NQ20T.127
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  IRF640NPBF

    IRF640NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF640N

    IRF640N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:72A; Pins, No.…

  • Изображение  STP20NF20

    STP20NF20
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF640

IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом