Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF640, Samsung Electronics

OBS Позиция снята с производства

LS: 13 3 6 1 Транзистор полевой


IRF640, Samsung Electronics

Параметры IRF640

Наименование IRF640
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 8133

Аналоги IRF640, доступные на складе

  • Изображение  PHP20NQ20T.127

    PHP20NQ20T.127
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

    N-channel TrenchMOS transistor

  • Изображение  IRF640

    IRF640
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:1200pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:72A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:280mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

  • Изображение  IRF640N

    IRF640N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:72A; Pins, No.…

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF640

IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом