Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF640, Samsung Electronics

LS: 13 3 6 1 Транзистор полевой


IRF640, Samsung Electronics

Параметры IRF640

НаименованиеIRF640
ПроизводительSamsung Electronics (SAM)
Артикул8133

Аналоги IRF640, доступные на складе

  • Изображение  STP20NF20

    STP20NF20
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт

  • Изображение  IRF640

    IRF640
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:1200pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:72A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:280mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

  • Изображение  IRF640PBF

    IRF640PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRFB4020PBF

    IRFB4020PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF640

IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics IRF640, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом