Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STY80NM60N, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 40 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Pрасс 560 Вт


Параметры STY80NM60N

Наименование STY80NM60N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 793631
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов

Аналоги STY80NM60N, доступные на складе

  • Изображение  STY139N65M5

    STY139N65M5
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3-S]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 130 А; Rси(вкл): 14...17 мОм; @Uзатв(ном): 8...10 В; Uзатв(макс): 25 В

  • Изображение  STY112N65M5

    STY112N65M5
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 96 А; Rси(вкл): 22 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 350 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1010,00 руб
от 4 шт. 860,00 руб
от 8 шт. 789,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом