Терраэлектроника

STB23NM50N, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0...0.19 Ом
@Uзатв(ном) 4...7 В
Uзатв(макс) 25 В


STB23NM50N, ST Microelectronics

Параметры STB23NM50N

НаименованиеSTB23NM50N
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул793081
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STB23NM50N

STB23NM50N, ST Microelectronics STB23NM50N, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
132,00 руб
от 11 шт. 115,50 руб
от 32 шт. 99,00 руб
от 69 шт. 91,00 руб
Наличие на складе
976 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом