Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:48A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:45W; Power, Pd:45W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V


IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF9Z24N

Наименование IRF9Z24N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 68574
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF9Z24N, доступные на складе

  • Изображение  STP12PF06

    STP12PF06
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: P; Uси: 60 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.2 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 16 нКл

  • Изображение  IRF9Z24NPBF

    IRF9Z24NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, -55V, -12A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:48A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

Изображения IRF9Z24N

IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,30 руб
от 81 шт. 36,30 руб
от 200 шт. 33,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом