Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB35N65M5, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 27 А
Rси(вкл) 98 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Pрасс 160 Вт


Параметры STB35N65M5

Наименование STB35N65M5
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 684037
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STB35N65M5, доступные на складе

  • Изображение  IPB60R099CP

    IPB60R099CP
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  IPB65R095C7ATMA1

    IPB65R095C7ATMA1
    INFIN

    700V and 650V CoolMOSв„ў N-Channel Power MOSFET, Infineon’s new CoolMOS™ C7 series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/p…

  • Изображение  IPB60R099CPATMA1

    IPB60R099CPATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    600V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом