Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD45H11, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

TRANSISTOR, PNP D-PAK

Transistor TypePower General Purpose
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo80V
Current, Ic Continuous a Max8A
Hfe, Min40
ft, Typ40MHz
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD45H11
Power, Ptot20W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo10V dc
Width, External6.73mm


MJD45H11, On Semiconductor

Параметры MJD45H11

Наименование MJD45H11
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 68402
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

Аналоги MJD45H11, доступные на складе

  • Изображение  MJD45H11T4G

    MJD45H11T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Аудио транзистор, биполярный

  • Изображение  MJD45H11G

    MJD45H11G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Аудио транзистор, биполярный

  • Изображение  MJD45H11RLG

    MJD45H11RLG
    ONS

    Аудио транзистор, биполярный

Изображения MJD45H11

MJD45H11, On Semiconductor MJD45H11, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом