Терраэлектроника

IRF1010E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V


IRF1010E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010E

НаименованиеIRF1010E
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул67967

Аналоги IRF1010E, доступные на складе

  • Изображение  IRF1010EPBF

    IRF1010EPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  STP65NF06

    STP65NF06
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 14 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 54 нКл

Изображения IRF1010E

IRF1010E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
92,00 руб
от 15 шт. 80,50 руб
от 43 шт. 69,00 руб
от 93 шт. 63,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом