Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V


IRFI1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI1010N

Наименование IRFI1010N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 67760
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFI1010N, доступные на складе

  • Изображение  IRFI1010NPBF

    IRFI1010NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:290A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
149,00 руб
от 10 шт. 130,00 руб
от 28 шт. 112,00 руб
от 50 шт. 103,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом