Терраэлектроника

IRFI1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V


IRFI1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI1010N

НаименованиеIRFI1010N
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул67760
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRFI1010N, доступные на складе

  • Изображение  IRFI1010NPBF

    IRFI1010NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:290A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
154,00 руб
от 10 шт. 134,50 руб
от 28 шт. 115,50 руб
от 50 шт. 106,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом