Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SKM75GB123D, Semikron Inc.

OBS Позиция снята с производства

IGBT MODULE, DUAL

Transistor TypeIGBT Module
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max75A
Voltage, Vce Sat Max3.2V
Case StyleSEMITRANS 2
Termination TypeScrew
Centres, Fixing80mm
Current, Ic Continuous b Max50A
Current, Ic av78A
Current, Icm Pulsed150A
Depth, External34mm
Diameter, Fixing Hole6.4mm
Length / Height, External29.5mm
Power, Pd400W
Power, Ptot400W
Temperature, Current25°C
Time, Rise56ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vceo1200V
Width, External94mm


SKM75GB123D, Semikron Inc.

Параметры SKM75GB123D

Наименование SKM75GB123D
Производитель Semikron Inc. (SMK)
Артикул 67600
Корпус
Количество ключей
Ток
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)

Аналоги SKM75GB123D, доступные на складе

Изображения SKM75GB123D

SKM75GB123D, Semikron Inc. SKM75GB123D, Semikron Inc.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
4640,00 руб
от 2 шт. 4260,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом