Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB13NM60N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.28 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STB13NM60N, STMicroelectronics

Параметры STB13NM60N

НаименованиеSTB13NM60N
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул670457
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги STB13NM60N, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения STB13NM60N

STB13NM60N, STMicroelectronics STB13NM60N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
78,00 руб
от 17 шт. 68,50 руб
от 50 шт. 58,50 руб
от 108 шт. 54,00 руб
Наличие на складе
2399 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом