Терраэлектроника

STB13NM60N, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.28 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STB13NM60N, ST Microelectronics

Параметры STB13NM60N

НаименованиеSTB13NM60N
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул670457
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STB13NM60N

STB13NM60N, ST Microelectronics STB13NM60N, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
79,50 руб
от 18 шт. 70,00 руб
от 53 шт. 60,00 руб
от 114 шт. 55,00 руб
Наличие на складе
909 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом