Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB13NM60N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.28 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STB13NM60N, STMicroelectronics

Параметры STB13NM60N

Наименование STB13NM60N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 670457
Vgs для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STB13NM60N, доступные на складе

  • Изображение  IPB60R380C6ATMA1

    IPB60R380C6ATMA1
    INFIN

    600V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

  • Изображение  IPB60R330P6ATMA1

    IPB60R330P6ATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  IPB65R380C6ATMA1

    IPB65R380C6ATMA1
    INFIN

    650V and 700V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

Показать все сопутствующие товары

Изображения STB13NM60N

STB13NM60N, STMicroelectronics STB13NM60N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
86,00 руб
от 16 шт. 75,00 руб
от 47 шт. 64,50 руб
от 102 шт. 59,00 руб
Наличие на складе
809 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом