Терраэлектроника

STB13NM60N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.28 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STB13NM60N, STMicroelectronics

Параметры STB13NM60N

НаименованиеSTB13NM60N
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул670457
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STB13NM60N

STB13NM60N, STMicroelectronics STB13NM60N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
77,00 руб
от 18 шт. 67,50 руб
от 52 шт. 58,00 руб
от 112 шт. 53,00 руб
Наличие на складе
1907 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом