Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IKW50N60H3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IKW50N60H3FKSA1 - IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING.

  • Family Transistors - IGBTs - Single
  • Manufacturer Infineon Technologies
  • Series TrenchStop®
  • Packaging  Tube
  • Part Status Active
  • IGBT Type Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100A
  • Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
  • Power - Max 333W
  • Switching Energy 2.36mJ
  • Input Type Standard
  • Gate Charge 315nC
  • Td (on/off) @ 25°C 23ns/235ns
  • Test Condition 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr) 130ns
  • Package / Case TO-247-3
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package PG-TO247-3  

 

 

 

 


IKW50N60H3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IKW50N60H3FKSA1

Наименование IKW50N60H3FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 668716
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
294,00 руб
от 12 шт. 252,00 руб
от 26 шт. 232,00 руб
Наличие на складе
1475 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом