Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IKW40N120H3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IKW40N120H3FKSA1 - High speed Duo Pack: IGBT in Trench and Field stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode.

Технические характеристики:

  • Channel Type N
  • Maximum Collector Emitter Voltage (V) 400
  • Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±6
  • Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 4
  • Minimum Operating Temperature (°C) -40
  • Maximum Operating Temperature (°C) 150
  • Packaging Tube
  • Mounting Through Hole
  • Package Height (mm) 21.1(Max)
  • Package Length (mm) 16.03(Max)
  • Package Width (mm) 5.16(Max)
  • PCB changed 3
  • Tab Tab
  • Standard Package Name TO-247
  • Supplier Package TO-247
  • Pin Count 3
  • Lead Shape Through Hole
IKW40N120H3

IKW40N120H3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IKW40N120H3FKSA1

Наименование IKW40N120H3FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 668325
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
462,00 руб
от 4 шт. 405,00 руб
от 9 шт. 347,00 руб
от 20 шт. 318,00 руб
Наличие на складе
236 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом