Терраэлектроника

M29W160EB-70N6, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - Примечания: Микросхема Flash памяти. Емкость 16 Мбит (2Мбх8 или 1Мбх16). В корпусе TSOP48. Время обращения 70 нс. Напряжение питания от 2,7 до 3,6 V. Температурный диапазон -40/+85 С.


Параметры M29W160EB-70N6

НаименованиеM29W160EB-70N6
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул66682
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом