Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP23NM50N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 550 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.162 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STP23NM50N, STMicroelectronics

Параметры STP23NM50N

НаименованиеSTP23NM50N
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул663397
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги STP23NM50N, доступные на складе

  • Изображение  IPP50R190CEXKSA1

    IPP50R190CEXKSA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 500V, 18.5A, TO-220-3

  • Изображение  STP21NM50N

    STP21NM50N
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.19 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 65 нКл; Pрасс: 140 Вт

Изображения STP23NM50N

STP23NM50N, STMicroelectronics STP23NM50N, STMicroelectronics STP23NM50N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
148,00 руб
от 10 шт. 130,00 руб
от 27 шт. 111,00 руб
от 50 шт. 102,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом