Терраэлектроника

STP23NM50N, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 550 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.162 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В


STP23NM50N, ST Microelectronics

Параметры STP23NM50N

НаименованиеSTP23NM50N
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул663397
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги STP23NM50N, доступные на складе

  • Изображение  STP21NM50N

    STP21NM50N
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.19 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 65 нКл; Pрасс: 140 Вт

Изображения STP23NM50N

STP23NM50N, ST Microelectronics STP23NM50N, ST Microelectronics STP23NM50N, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
163,00 руб
от 9 шт. 142,50 руб
от 26 шт. 122,00 руб
от 50 шт. 112,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом