Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP260N6F6, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 120 А
Rси(вкл) 2.4...3 мОм
@Uзатв(ном) 4...6 В
Uзатв(макс) 20 В


STP260N6F6, STMicroelectronics

Параметры STP260N6F6

Наименование STP260N6F6
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 659553
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги STP260N6F6, доступные на складе

  • Изображение  SPB18P06PGATMA1

    SPB18P06PGATMA1
    INFIN

    20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB3206

    IRFB3206
    INFIN

    HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

  • Изображение  IRFB3206PBF

    IRFB3206PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB7530PBF

    IRFB7530PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

Изображения STP260N6F6

STP260N6F6, STMicroelectronics STP260N6F6, STMicroelectronics STP260N6F6, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
185,00 руб
от 19 шт. 159,00 руб
от 41 шт. 146,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом