Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP260N6F6, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 120 А
Rси(вкл) 2.4...3 мОм
@Uзатв(ном) 4...6 В
Uзатв(макс) 20 В


STP260N6F6, STMicroelectronics

Параметры STP260N6F6

Наименование STP260N6F6
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 659553
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STP260N6F6, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7530PBF

    IRFB7530PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB3206

    IRFB3206
    INFIN

    HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

  • Изображение  SPB18P06PGATMA1

    SPB18P06PGATMA1
    INFIN

    20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

  • Изображение  IRFB3206PBF

    IRFB3206PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

Изображения STP260N6F6

STP260N6F6, STMicroelectronics STP260N6F6, STMicroelectronics STP260N6F6, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
223,00 руб
от 7 шт. 195,00 руб
от 19 шт. 167,00 руб
от 40 шт. 154,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом