Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB120N4F6, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 40 В
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 4 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В


STB120N4F6, STMicroelectronics

Параметры STB120N4F6

Наименование STB120N4F6
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 659496
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги STB120N4F6, доступные на складе

Изображения STB120N4F6

STB120N4F6, STMicroelectronics STB120N4F6, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
101,00 руб
от 14 шт. 88,00 руб
от 40 шт. 75,50 руб
от 87 шт. 69,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом