Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N5195, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation, Pd40W
Package/CaseTO-126
C-E Breakdown Voltage80V
Collector Current4A
Leaded Process CompatibleYes
Peak Reflow Compatible (260 C)Yes


2N5195, On Semiconductor

Параметры 2N5195

Наименование2N5195
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул64439
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Граничная рабочая частота

Аналоги 2N5195, доступные на складе

  • Изображение  2N5195G

    2N5195G
    ONS

    TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:-0.6V; Power Dissipation:40W; Hfe, Min:20; ft, Typ:2MHz; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:4A; Current, Ic hFE:1.5A; Device Marking:2N5195; Pins, No.…

Изображения 2N5195

2N5195, On Semiconductor 2N5195, On Semiconductor 2N5195, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом