Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N5195, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Bipolar Transistor

Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation, Pd40W
Package/CaseTO-126
C-E Breakdown Voltage80V
Collector Current4A
Leaded Process CompatibleYes
Peak Reflow Compatible (260 C)Yes


2N5195, On Semiconductor

Параметры 2N5195

Наименование 2N5195
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 64439
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги 2N5195, доступные на складе

  • Изображение  2N5195G

    2N5195G
    ONS

    TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:-0.6V; Power Dissipation:40W; Hfe, Min:20; ft, Typ:2MHz; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:4A; Current, Ic hFE:1.5A; Device Marking:2N5195; Pins, No.…

Изображения 2N5195

2N5195, On Semiconductor 2N5195, On Semiconductor 2N5195, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом