Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N5191G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, TO-225

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo60V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max0.6V
Power Dissipation40W
Hfe, Min10
ft, Typ2MHz
Case StyleTO-225AA
Termination TypeThrough Hole
Complementary Device2N5194 / 2N5195
Current, Ic Max4A
Current, Ic hFE4A
Power, Ptot40W
Voltage, Vcbo60V
ft, Min2MHz


2N5191G, On Semiconductor

Параметры 2N5191G

Наименование 2N5191G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 63832
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic

Аналоги 2N5191G, доступные на складе

  • Изображение  2N5191

    2N5191
    ST

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Примечание: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:25; No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
30,70 руб
от 46 шт. 26,80 руб
от 134 шт. 23,00 руб
от 290 шт. 21,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом