Терраэлектроника

2N5191G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, TO-225

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo60V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max0.6V
Power Dissipation40W
Hfe, Min10
ft, Typ2MHz
Case StyleTO-225AA
Termination TypeThrough Hole
Complementary Device2N5194 / 2N5195
Current, Ic Max4A
Current, Ic hFE4A
Power, Ptot40W
Voltage, Vcbo60V
ft, Min2MHz


2N5191G, On Semiconductor

Параметры 2N5191G

Наименование2N5191G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул63832
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги 2N5191G, доступные на складе

  • Изображение  2N5191

    2N5191
    ST

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Примечание: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:25; No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
29,50 руб
от 49 шт. 26,00 руб
от 142 шт. 22,00 руб
от 308 шт. 20,50 руб
Наличие на складе
42 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом