Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SKM50GB123D, Semikron Inc.

OBS Позиция снята с производства

IGBT MODULE, DUAL

Transistor TypeIGBT Module
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max50A
Voltage, Vce Sat Max2.8V
Power Dissipation310W
Case StyleSEMITRANS 2
Termination TypeScrew
Centres, Fixing80mm
Current, Ic Continuous b Max40A
Current, Ic av50A
Current, Icm Pulsed100A
Depth, External34mm
Diameter, Fixing Hole6.4mm
Length / Height, External29.5mm
Power, Pd400W
Power, Ptot400W
Temperature, Current25°C
Time, Rise60ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vceo1200V
Width, External94mm


SKM50GB123D, Semikron Inc.

Параметры SKM50GB123D

Наименование SKM50GB123D
Производитель Semikron Inc. (SMK)
Артикул 63354
Ток
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Корпус
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)

Аналоги SKM50GB123D, доступные на складе

  • Изображение  SKM50GB12T4

    SKM50GB12T4
    SMK

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, HALFBRIDGE, MODULE, 50A, 1200V

  • Изображение  SKM75GB12V

    SKM75GB12V
    SMK

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR

Изображения SKM50GB123D

SKM50GB123D, Semikron Inc. SKM50GB123D, Semikron Inc.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
4880,00 руб
от 2 шт. 4480,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом