Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI3442BDV-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, TSOP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont3A
Resistance, Rds On0.07ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleTSOP
Termination TypeSMD
Base Number3442
Current, Idm Pulse20A
Pins, No. of6
Power Dissipation20mW
Power, Pd0.86W
Voltage, Vds Max2.5V
Current, Output Max0.86A


SI3442BDV-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

Параметры SI3442BDV-T1-E3

Наименование SI3442BDV-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 63309
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Изображения SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc. SI3442BDV-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом