Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont22A
Resistance, Rds On0.036ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse140A
Pins, No. of3
Power Dissipation45W
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V


IRFI1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI1310N

Наименование IRFI1310N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 61184
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRFI1310N, доступные на складе

  • Изображение  IRFI1310NPBF

    IRFI1310NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 22A, TO-220FP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:22A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:140A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
116,00 руб
от 30 шт. 98,50 руб
от 65 шт. 90,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом