Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NTD5413NT4G, On Semiconductor

Power MOSFET 60V 30A 26 mOhm Single NChannel DPAK


Параметры NTD5413NT4G

НаименованиеNTD5413NT4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул597600
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги NTD5413NT4G, доступные на складе

  • Изображение  IRFR48ZPBF

    IRFR48ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.011ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:250A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR48ZPBF; Pins, No.…

  • Изображение  STD30NF06T4

    STD30NF06T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 28 А; Rси(вкл): 20...28 мОм; @Uзатв(ном): 4...6 В; Uзатв(макс): 20 В

  • Изображение  NTD5862NT4G

    NTD5862NT4G
    ONS

    Power MOSFET 60V 90A 5.7 mOhm Single N Channel DPAK

  • Изображение  IRFR1205

    IRFR1205
    INFIN

    MOSFET, N D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:150A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR1205; Power Dissipation:69W; Power, Pd:69W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

  • Изображение  NTD32N06LT4G

    NTD32N06LT4G
    ONS

    Power MOSFET 60V 32A 28 mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом