Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP13NM60N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.36 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 30 нКл


STP13NM60N, STMicroelectronics

Параметры STP13NM60N

Наименование STP13NM60N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 590295
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STP13NM60N, доступные на складе

  • Изображение  IPP60R380E6XKSA1

    IPP60R380E6XKSA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

  • Изображение  IPP65R380C6XKSA1

    IPP65R380C6XKSA1
    INFIN

    650V and 700V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

  • Изображение  IPP60R380C6XKSA1

    IPP60R380C6XKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO220

Изображения STP13NM60N

STP13NM60N, STMicroelectronics STP13NM60N, STMicroelectronics STP13NM60N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
27,10 руб
Наличие на складе
3385 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом