Терраэлектроника

IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-220-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 37.9 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 90 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Brand: Infineon Technologies
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 278 W
  • Series: CoolMOS C6
  • Factory Pack Quantity: 500
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Unit Weight: 6 g


IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPP60R099C6

НаименованиеIPP60R099C6
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул579411

Аналоги IPP60R099C6, доступные на складе

  • Изображение  STP34NM60N

    STP34NM60N
    ST

    MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO 220

Изображения IPP60R099C6

IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
413,00 руб
от 4 шт. 361,50 руб
от 11 шт. 310,00 руб
от 22 шт. 284,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом