Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-220-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 37.9 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 90 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Brand: Infineon Technologies
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 278 W
  • Series: CoolMOS C6
  • Factory Pack Quantity: 500
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Unit Weight: 6 g


IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPP60R099C6

НаименованиеIPP60R099C6
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул579411

Аналоги IPP60R099C6, доступные на складе

Изображения IPP60R099C6

IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R099C6, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
395,00 руб
от 4 шт. 345,00 руб
от 10 шт. 296,00 руб
от 22 шт. 272,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом