Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP21N65M5, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.179 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 37 нКл


STP21N65M5, STMicroelectronics

Параметры STP21N65M5

Наименование STP21N65M5
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 576010
Кол-во выводов
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги STP21N65M5, доступные на складе

  • Изображение  IPP60R165CPXKSA1

    IPP60R165CPXKSA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220-3

  • Изображение  IPP60R190P6XKSA1

    IPP60R190P6XKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineons CoolMOS™ P6 product family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool…

  • Изображение  IPP65R190C7FKSA1

    IPP65R190C7FKSA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-220-3

Изображения STP21N65M5

STP21N65M5, STMicroelectronics STP21N65M5, STMicroelectronics STP21N65M5, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом