Терраэлектроника

IRG4PC50K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max52A
Voltage, Vce Sat Max1.84V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed104A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max120ns
Time, Rise34ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50K

НаименованиеIRG4PC50K
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул56227
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PC50K, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50KPBF

    IRG4PC50KPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PC50K

IRG4PC50K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
180,00 руб
Наличие на складе
30 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом