Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont21A
Resistance, Rds On0.082ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse84A
Marking, SMDIRF3315S
Power Dissipation84W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd84W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds150V
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3315S

Наименование IRF3315S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 54485
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF3315S

Аналоги IRF3315S, доступные на складе

  • Изображение  IRF3315SPBF

    IRF3315SPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 150V, 21A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:21A; Resistance, Rds On:0.082ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:84A; Marking, SMD:IRF3315S; Power Dissipation:84W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF3315STRLPBF

    IRF3315STRLPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

Изображения IRF3315S

IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
41,50 руб
от 83 шт. 35,60 руб
от 181 шт. 32,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом