Терраэлектроника

IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont21A
Resistance, Rds On0.082ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse84A
Marking, SMDIRF3315S
Power Dissipation84W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd84W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds150V
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3315S

НаименованиеIRF3315S
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул54485
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF3315S, доступные на складе

  • Изображение  IRF3315STRLPBF

    IRF3315STRLPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRF3315SPBF

    IRF3315SPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 150V, 21A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:21A; Resistance, Rds On:0.082ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:84A; Marking, SMD:IRF3315S; Power Dissipation:84W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRF3315S

IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
17,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом