Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NSS60601MZ4T1G, On Semiconductor

6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor


Параметры NSS60601MZ4T1G

Наименование NSS60601MZ4T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 543446
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE

Аналоги NSS60601MZ4T1G, доступные на складе

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

  • Изображение  NSS60601MZ4T3G

    NSS60601MZ4T3G
    ONS

    Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,40 руб
от 76 шт. 16,10 руб
от 222 шт. 13,80 руб
от 483 шт. 12,70 руб
Наличие на складе
737 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом