Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NSS60601MZ4T1G, On Semiconductor

6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor


Параметры NSS60601MZ4T1G

НаименованиеNSS60601MZ4T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул543446
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус

Аналоги NSS60601MZ4T1G, доступные на складе

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  NSS60601MZ4T3G

    NSS60601MZ4T3G
    ONS

    Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
19,50 руб
от 69 шт. 17,00 руб
от 201 шт. 14,60 руб
от 437 шт. 13,40 руб
Наличие на складе
355 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом