Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NSS60601MZ4T1G, On Semiconductor

6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor


Параметры NSS60601MZ4T1G

Наименование NSS60601MZ4T1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 543446
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE

Аналоги NSS60601MZ4T1G, доступные на складе

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  NSS60601MZ4T3G

    NSS60601MZ4T3G
    ONS

    Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,20 руб
от 226 шт. 13,10 руб
от 493 шт. 12,00 руб
Наличие на складе
625 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом