Терраэлектроника

NSS60601MZ4T1G, On Semiconductor

6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor


Параметры NSS60601MZ4T1G

НаименованиеNSS60601MZ4T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул543446
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.

Аналоги NSS60601MZ4T1G, доступные на складе

  • Изображение  NSS60601MZ4T3G

    NSS60601MZ4T3G
    ONS

    Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,50 руб
от 70 шт. 18,00 руб
от 202 шт. 15,50 руб
от 440 шт. 14,00 руб
Наличие на складе
145 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом