Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD122, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK

Transistor TypePower Darlington
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max8A
Hfe, Min1000
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDMJD122
Power, Ptot20W
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.8mm
ft, Min4MHz


MJD122, On Semiconductor

Параметры MJD122

Наименование MJD122
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 53368
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE

Аналоги MJD122, доступные на складе

  • Изображение  MJD122T4G

    MJD122T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD122

MJD122, On Semiconductor MJD122, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом