Терраэлектроника

MJD122, On Semiconductor

TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK

Transistor TypePower Darlington
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max8A
Hfe, Min1000
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDMJD122
Power, Ptot20W
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.8mm
ft, Min4MHz


MJD122, On Semiconductor

Параметры MJD122

НаименованиеMJD122
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул53368

Аналоги MJD122, доступные на складе

  • Изображение  MJD122T4G

    MJD122T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD122

MJD122, On Semiconductor MJD122, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом