Терраэлектроника

IRG4BC20S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max19A
Voltage, Vce Sat Max1.6V
Power Dissipation60W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed38A
Pins, No. of3
Power, Pd60W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max640ns
Time, Rise9.7ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC20S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC20S

НаименованиеIRG4BC20S
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул53042
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC20S, доступные на складе

Изображения IRG4BC20S

IRG4BC20S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
73,00 руб
от 19 шт. 64,00 руб
от 50 шт. 55,00 руб
от 100 шт. 50,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом