Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI1013R-T1-GE3, Vishay Intertechnology Inc.

OBS Позиция снята с производства

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET


Параметры SI1013R-T1-GE3

Наименование SI1013R-T1-GE3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 523495
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Аналоги SI1013R-T1-GE3, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом