Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF630, Samsung Electronics

OBS Позиция снята с производства

LS: Транзистор полевой


IRF630, Samsung Electronics

Параметры IRF630

Наименование IRF630
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 5217
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF630, доступные на складе

  • Изображение  IRF630

    IRF630
    MOT

    LS: Транзистор полевой

  • Изображение  IRF630

    IRF630
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл

Изображения IRF630

IRF630, Samsung Electronics IRF630, Samsung Electronics IRF630, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
49,60 руб
от 28 шт. 43,40 руб
от 81 шт. 37,20 руб
от 177 шт. 34,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом