Терраэлектроника

IRF630, Samsung Electronics

LS: Транзистор полевой


IRF630, Samsung Electronics

Параметры IRF630

НаименованиеIRF630
ПроизводительSamsung Electronics (SAM)
Артикул5217
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора

Аналоги IRF630, доступные на складе

  • Изображение  IRF630

    IRF630
    MOT

    LS: Транзистор полевой

  • Изображение  IRF630

    IRF630
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл

Изображения IRF630

IRF630, Samsung Electronics IRF630, Samsung Electronics IRF630, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
51,50 руб
от 28 шт. 45,00 руб
от 81 шт. 38,50 руб
от 177 шт. 35,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом