Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD31C, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

TRANSISTOR, NPN D-PAK

Transistor TypePower General Purpose
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE1A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD31C
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.73mm
ft, Min3MHz


MJD31C, On Semiconductor

Параметры MJD31C

Наименование MJD31C
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 49594
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE

Изображения MJD31C

MJD31C, On Semiconductor MJD31C, On Semiconductor MJD31C, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом