Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF630NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N TO-263

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont9.3A
Resistance, Rds On0.3ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ575pF
Charge, Gate N-channel35nC
Current, Iar9.3A
Current, Idm Pulse37A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear8.2mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas94mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRF630NS
Power Dissipation82W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd82W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.3ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.83°C/W
Time, Fall15ns
Time, Rise14ns
Time, trr Typ117ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V
Width, External10.16mm


IRF630NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF630NS

НаименованиеIRF630NS
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул49417
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF630NS, доступные на складе

  • Изображение  IRFS4227PBF

    IRFS4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:62A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRF630NSTRLPBF

    IRF630NSTRLPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRF630NSTRRPBF

    IRF630NSTRRPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRF630NSPBF

    IRF630NSPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:575pF; Case Style, Alternate:D2-PAK; Charge, Gate N-channel:35nC; Current, Iar:9.3A; Current, Idm Pulse:37A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:8.2mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:94mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF630NS; Power Dissipation:82W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRF630NS

IRF630NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF630NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF630NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
69,50 руб
от 20 шт. 61,00 руб
от 50 шт. 52,50 руб
от 100 шт. 48,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом