Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, SMD, TO-263AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-263AB
Termination TypeSMD


FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDB045AN08A0

Наименование FDB045AN08A0
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 48518
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

Аналоги FDB045AN08A0, доступные на складе

  • Изображение  STB160N75F3

    STB160N75F3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 75 В; Iс(25°C): 85 А; Rси(вкл): 3.7 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 110 нКл

  • Изображение  IPB144N12N3GATMA1

    IPB144N12N3GATMA1
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 120V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switchi…

  • Изображение  IPB108N15N3GATMA1

    IPB108N15N3GATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

  • Изображение  IPB123N10N3GATMA1

    IPB123N10N3GATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

Изображения FDB045AN08A0

FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp. FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp. FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом