Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, SMD, TO-263AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-263AB
Termination TypeSMD


FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDB045AN08A0

НаименованиеFDB045AN08A0
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул48518
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Корпус
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги FDB045AN08A0, доступные на складе

  • Изображение  STB160N75F3

    STB160N75F3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 75 В; Iс(25°C): 85 А; Rси(вкл): 3.7 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 110 нКл

  • Изображение  IPB144N12N3GATMA1

    IPB144N12N3GATMA1
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 120V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switchi…

  • Изображение  IPB123N10N3GATMA1

    IPB123N10N3GATMA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IPB108N15N3GATMA1

    IPB108N15N3GATMA1
    INFIN

    MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO-263-3

Изображения FDB045AN08A0

FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp. FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp. FDB045AN08A0, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом