Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall150ns
Time, Fall Max150ns
Time, Rise17ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30W

Наименование IRG4BC30W
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 46381
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30WPBF

    IRG4BC30WPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

Изображения IRG4BC30W

IRG4BC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
197,00 руб
от 8 шт. 172,00 руб
от 21 шт. 148,00 руб
от 50 шт. 136,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом