Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STQ1NK60ZR-AP, STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 600V, 0.3A, TO92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:400mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating ;RoHS Compliant: Yes


Параметры STQ1NK60ZR-AP

Наименование STQ1NK60ZR-AP
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 450673
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом