Терраэлектроника

STQ1NK60ZR-AP, ST Microelectronics

MOSFET, N CH, 600V, 0.3A, TO92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:400mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating ;RoHS Compliant: Yes


Параметры STQ1NK60ZR-AP

НаименованиеSTQ1NK60ZR-AP
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул450673
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом