Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STN1HNK60, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8.5 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 7 нКл


Параметры STN1HNK60

НаименованиеSTN1HNK60
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул450360
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги STN1HNK60, доступные на складе

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

  • Изображение  IPN60R3K4CEATMA1

    IPN60R3K4CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3

  • Изображение  IPN60R2K1CEATMA1

    IPN60R2K1CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
19,10 руб
от 70 шт. 16,70 руб
от 205 шт. 14,30 руб
от 445 шт. 13,20 руб
Наличие на складе
21514 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом