Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STN1HNK60, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8.5 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 7 нКл


Параметры STN1HNK60

Наименование STN1HNK60
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 450360
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STN1HNK60, доступные на складе

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

  • Изображение  IPN60R2K1CEATMA1

    IPN60R2K1CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3

  • Изображение  IPN60R3K4CEATMA1

    IPN60R3K4CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,50 руб
от 68 шт. 18,00 руб
от 196 шт. 15,40 руб
от 427 шт. 14,10 руб
Наличие на складе
15904 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом