Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STN1HNK60, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 400 мА
Rси(вкл) 8.5 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 7 нКл


Параметры STN1HNK60

Наименование STN1HNK60
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 450360
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов

Аналоги STN1HNK60, доступные на складе

  • Изображение  IPN60R2K1CEATMA1

    IPN60R2K1CEATMA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3

  • Изображение  IPN60R3K4CEATMA1

    IPN60R3K4CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3

  • Изображение  STN1NK60Z

    STN1NK60Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,60 руб
от 167 шт. 17,60 руб
от 364 шт. 16,20 руб
Наличие на складе
18027 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом