Терраэлектроника

STGW39NC60VD, ST Microelectronics

IGBT транзистор -

Uкэ.макс 600 В
Iк@25°C 40 А
Uкэ.нас 1.7 В
Диод tвосст 100 нс
Диод Uпад 1.8 В


Параметры STGW39NC60VD

НаименованиеSTGW39NC60VD
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул450071
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги STGW39NC60VD, доступные на складе

  • Изображение  IRGP4640DPBF

    IRGP4640DPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
170,00 руб
от 9 шт. 149,00 руб
от 30 шт. 127,50 руб
от 60 шт. 117,00 руб
Наличие на складе
133 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом